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铋蒸发材料采用高纯金属铋为原料,经真空精炼、洁净成形与分级控制制备,严格限制 Pb、Sn、Cu 等杂质含量,确保在高真空环境下具备可重复、可控的蒸发行为。
纯度范围:99.9% – 99.999%(3N–5N)
材料形态:颗粒、小块、片状、定制尺寸
制造工艺:真空精炼 + 精密成形 / 分级
表面状态:低氧化、低吸附,适合直接蒸发
高纯铋蒸发材料可有效:
稳定蒸发通量,降低飞溅与颗粒缺陷;
提升薄膜成分与厚度均匀性;
改善热电与电子输运性能一致性;
提高科研与中试工艺的可重复性。
热电材料薄膜:Bi₂Te₃、BiSbTe、Bi₂Se₃
拓扑与自旋电子学:强自旋轨道耦合相关薄膜
光电与红外器件:功能金属与化合物薄膜
合金与功能薄膜:Bi 基或 Bi 掺杂体系
科研实验:表面态、能带结构与界面工程研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.999% | 决定热电与电学性能 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 单颗粒尺寸 | 可定制 | 影响蒸发速率与膜厚控制 |
| 熔点 | ~271 °C | 适合低温蒸发 |
| 适用工艺 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止氧化与污染 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 铋(Bi)蒸发材料 | 低熔点、强 SOC | 热电与拓扑薄膜 |
| 锑(Sb) | 热电调控 | BiSbTe 合金薄膜 |
| 碲(Te) | 红外与热电 | Bi₂Te₃ 体系 |
| 铅(Pb) | 低熔点 | 特定功能薄膜 |
Q1:铋蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,低熔点使其工艺窗口友好。
Q2:铋在薄膜中的主要作用是什么?
A:作为热电与拓扑材料的关键金属组分,影响载流子与自旋特性。
Q3:铋蒸发对真空条件要求高吗?
A:建议高真空条件以保证成分与界面质量。
Q4:铋薄膜容易氧化吗?
A:相对稳定,但仍建议在真空或受控环境中沉积与冷却。
Q5:是否可与 Sb、Te 共蒸发?
A:可以,常用于 BiSbTe、Bi₂Te₃ 等化合物薄膜。
Q6:颗粒尺寸会影响蒸发稳定性吗?
A:会,均匀尺寸有助于稳定通量与膜厚控制。
Q7:铋薄膜的热电性能如何?
A:在合适化学计量与工艺条件下表现优异。
Q8:是否适合科研级应用?
A:非常适合,广泛用于热电与拓扑材料研究。
Q9:铋蒸发材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免表面氧化与有机污染。
Q10:是否支持定制规格与高纯度?
A:支持,可提供定制尺寸及 5N 等高纯等级。
所有铋蒸发材料在出厂前均经过严格质量检测,并建立完整批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装,确保运输与储存过程中保持高纯度与稳定性能。
铋蒸发材料(Bi)凭借其低熔点、强自旋轨道耦合特性以及在热电与拓扑材料中的核心地位,在功能薄膜与前沿科研中具有重要价值。对于追求成分精确、界面优良与性能可控的薄膜沉积应用,铋蒸发材料是一种成熟且高性价比的专业选择。
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