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铅镧锆靶材(PbLaZr)由铅(Pb)、镧(La)和锆(Zr)组成,是铅基铁电材料与高介电薄膜体系中非常重要的功能性靶材之一。该材料通常作为铅镧锆钛酸盐(PLZT)和相关铁电薄膜结构的基础成分,用于制备具有高介电常数、高光电响应性和可控铁电性能的薄膜。
在 PLZT 系统中,镧(La)的引入能够改善材料晶粒结构、降低矫顽电场、提升响应速度,使 PbLaZr 靶材具有优异的薄膜工程价值。该靶材广泛用于光电器件、铁电存储器、透明铁电薄膜、MEMS 器件以及电光调制器。
PbLaZr 靶材通常采用高纯 PbO、La₂O₃ 与 ZrO₂ 粉体经严格化学计量配比,通过冷等静压(CIP)成型与真空烧结(Vacuum Sintering)或热压(Hot Pressing, HP)制备。材料具有良好致密度、均匀的微观相结构和稳定的化学成分。
典型规格:
纯度(Purity):99.9%–99.99%
成分(Composition):Pb–La–Zr 比例可按需求定制,如 PLZT 前驱配方
直径(Diameter):Ø25–Ø300 mm(支持 1″ / 2″ / 3″)
厚度(Thickness):3–6 mm
致密度(Density):≥95% 理论密度(TD)
烧结工艺:CIP + 真空烧结 / HP
背板(Bonding):可提供 Cu/Ti 背板或铟焊,以提升散热性能
材料性能优势:
高介电性能基础
有助于薄膜降低矫顽电场
支持高速电光响应(Electro-optic Response)
化学与相结构稳定
成膜均匀性佳,颗粒发生率低
铅镧锆靶材作为 PLZT 体系的重要组成部分,在光电与铁电领域具有重要意义:
PLZT 薄膜广泛用于:
电光调制器
光开关
液晶快门
光学通信组件
铁电存储器
可变电容器
铁电逻辑器件
适用于:
光电集成器件
显示技术(如透明驱动器件)
微驱动器
压电薄膜电子器件
用于晶相调控、介电响应、光电耦合与能带工程研究。
兼容 RF / DC 磁控溅射、共溅射、反应溅射(O₂、N₂) 等方式。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 保证铁电和电光性能稳定性 |
| 成分 | Pb–La–Zr 可定制 | 满足 PLZT 与相关薄膜设计 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配各种溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射寿命与沉积速率 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜均匀性、降低颗粒 |
| 背板 | Cu/Ti/In 焊 | 提升散热与结构强度 |
| 材料 | 特点 | 应用方向 |
|---|---|---|
| PbLaZr | 高介电、高光电响应、可调铁电性 | 电光薄膜、PLZT 功能膜 |
| PbZr | 铁电薄膜基础 | PZT前驱材料 |
| PZT(PbZrTiO₃) | 压电性强、铁电性能优异 | MEMS、传感器、执行器 |
| BaTiO₃ | 高介电常数 | 电容与介电层 |
| La 掺杂氧化物 | 晶粒细化、稳定结构 | 光学与高温材料 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| PbLaZr 靶材一般使用 RF 还是 DC? | 大多数情况下使用 RF 溅射,陶瓷材料对 RF 更稳定。 |
| 是否可以根据 PLZT 配方定制比例? | 可以按 2/52/48、3/65/35 等常规配方定制,也可按客户配方生产。 |
| Pb 是否会在溅射中挥发? | 建议采用补偿设计或控制氧分压以稳定 Pb 成分。 |
| 能否用于透明铁电薄膜? | 可以,PLZT 是典型透明铁电材料体系。 |
| 是否适合共溅射? | 完全支持,可与 Ti、La、Zr 等单靶同步共溅射形成 PLZT。 |
| 大尺寸靶材是否需要背板? | 建议 Cu/Ti 背板提升热管理能力。 |
| 储存条件如何? | 真空密封、避光、防潮保存效果最佳。 |
所有铅镧锆靶材均采用:
真空密封防氧化
防震泡沫保护
出口级硬盒/木箱包装
唯一产品批号追踪
确保运输与储存过程中的稳定与洁净。
铅镧锆靶材(PbLaZr)作为 PLZT 系列薄膜的关键基础材料,广泛应用于电光调制器、铁电存储器、透明薄膜器件及高介电应用。苏州科跃材料科技有限公司可根据工艺需求提供不同配比、尺寸及背板结构,满足科研或工业薄膜制备需求。
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