铅锆靶材（PbZr）

产品简介（Introduction）

铅锆靶材（PbZr）由铅（Pb）与锆（Zr）组成，是多元陶瓷与铁电材料体系中十分重要的功能性靶材之一，常作为铅锆钛酸盐（PZT）、铅基铁电薄膜以及高介电常数材料的关键基础靶材来源。Pb–Zr 体系具有优异的铁电性能基础、良好的膜层结构调控能力，并在传感器、执行器、MEMS 器件和电容薄膜等领域具有广泛应用。

PbZr 靶材可用于制备铅锆氧化物相关薄膜，也常作为 PZT（Pb(Zr,Ti)O₃）结构薄膜制备的共溅源材料，在功能薄膜研究中具有核心价值。

产品详情（Detailed Description）

铅锆靶材常采用氧化物粉体（如 PbO、ZrO₂）或金属粉体作为原料，通过严格计量配比，经冷等静压（CIP）成型并在高温真空条件下烧结（Sintering）或热压烧结（HP）制得。靶材具有高致密度、组成均匀、低孔隙率的特点，可在 RF / DC 磁控溅射设备中稳定运行。

典型规格：

• 纯度（Purity）：99.9%–99.99%

• 直径（Diameter）：Ø25–Ø300 mm（支持 1″、2″、3″ 等常规尺寸）

• 厚度（Thickness）：3–6 mm

• 化学组成（Composition）：Pb:Zr 可按比例定制（如 Pb₁.₀Zr₁.₀ 或其他特定摩尔比）

• 致密度（Density）：≥95% TD

• 烧结工艺：CIP + 真空烧结 / 热压烧结

• 背板（Bonding）：Cu / Ti 背板、铟焊可选

性能优势：

• 微结构均匀、漂移率低

• 支持高功率溅射

• 低 arcing 与低颗粒（Low Particles）

• 适用于铁电薄膜的成分精确控制

• 高稳定性、良好粘附性薄膜

应用领域（Applications）

PbZr 靶材属于功能性薄膜的重要基础材料，广泛应用于：

1. 铁电薄膜（Ferroelectric Films）

作为 PZT 体系的重要前驱薄膜靶材之一，常用于：

• 铁电存储器（FeRAM）

• 微机电系统（MEMS）

• 压电与电致伸缩薄膜

2. 高介电常数薄膜（High-k Dielectrics）

• DRAM 电容

• 功率电子介电层

• 各类高电容密度应用

3. 传感器与致动器（Sensors & Actuators）

• 压电加速度计

• 超声换能器

• 薄膜型执行器

4. 先进陶瓷材料研究（Advanced Ceramics R&D）

Pb–Zr 体系是众多功能氧化物的基础，用于：

• 成相研究

• 电介质调控

• 氧空位与晶体结构分析

兼容 RF / DC 溅射、反应溅射（Ar/O₂）、共溅射 等工艺。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

包装（Packaging）

所有铅锆靶材在出厂前均经过：

• 纯度检测

• 密度、尺寸与外观检查

• 真空密封包装

• 防震泡沫保护

• 出口级硬纸箱或木箱包装

确保运输过程中的稳定性与洁净度。

结论（Conclusion）

铅锆靶材（PbZr）作为 PZT 功能薄膜体系的基础靶材之一，在铁电、压电、介电及微机电系统中具有关键作用。苏州科跃材料科技有限公司可提供不同配比、不同尺寸及背板结构的 PbZr 靶材，适配科研与工业薄膜制备需求。

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