钼铼靶材(MoRe)

钼铼靶材(MoRe)

产品简介(Introduction)

钼铼靶材(MoRe)是一种以钼(Mo)和铼(Re)为主要成分的高性能合金溅射靶材,具备极高的熔点、出色的抗蠕变性能、优异的电学稳定性以及卓越的抗腐蚀能力。因其强度高、热稳定性好以及对高能量离子轰击的耐受性强,MoRe 合金被广泛应用于半导体、真空电子、耐高温薄膜、电触点、航空与能源等高端领域。

该材料常用于制备高耐久性金属薄膜、扩散阻挡层、耐热电极、微电子器件以及研究级材料工程中,是科研机构与先进制造工厂常用的重要靶材之一。


产品详情(Detailed Description)

MoRe 靶材采用高纯钼粉与高纯铼粉,通过真空熔炼、粉末冶金、热等静压(HIP)、冷等静压(CIP)、高温烧结等先进工艺制备而成。合金可形成 Mo–Re 固溶体结构,可显著增强材料的塑性与耐疲劳性。

可提供的典型规格:

  • 纯度:MoRe 合金整体 99.9%(可提供更高)

  • 比例可选:Mo-47%Re(常用),Mo-41%Re、Mo-52%Re、定制比例

  • 直径:Φ25–Φ300 mm,可定制矩形/阶梯靶等

  • 厚度:3–6 mm(可定制)

  • 致密度:≥ 97%

  • 背板键合:铜背板(Cu)、钛背板(Ti)、铟焊(In bonding)

性能特点优势:

  • 极高熔点(高于 2600°C)

  • 卓越的塑性与抗脆化能力(优于纯钼)

  • 高温环境中保持良好机械强度

  • 稳定的电阻率与低接触电阻

  • 优异的耐腐蚀性能与抗离子轰击性能

  • 薄膜附着力高、层间结合稳定

MoRe 的综合性能明显优于纯钼,尤其在高温、强应力、腐蚀及真空条件下表现更佳。


应用领域(Applications)

钼铼靶材可用于多类高端薄膜与先进制造应用,包括:

  • 半导体薄膜沉积:电极、阻挡层、过渡层

  • 真空电子元件:栅极、阴极、集电极

  • 航空航天与高温部件薄膜

  • 电触点、电开关薄膜(高电流、耐腐蚀)

  • 高温传感器薄膜

  • 能源设备(如核能、氢能)用耐高温涂层

  • 射频和微波器件薄膜(高可靠性)

  • 科研材料开发与测试样品制备

MoRe 结合了钼的高强度与铼的耐疲劳、抗脆化特性,是极端工况下使用的重要薄膜材料。


技术参数(Technical Parameters)

参数 范围 / 典型值 说明
合金比例 Mo-47Re(常用)或定制 决定机械、电学性能
纯度 ≥ 99.9% 杂质越少,薄膜稳定性越高
密度 ≥ 97% 影响薄膜致密度与溅射均匀性
直径 25–300 mm 兼容所有主流溅射设备
厚度 3–6 mm 根据沉积需求定制
背板选项 Cu、Ti、In 焊 提升散热与靶材寿命

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 典型用途
MoRe 高强度、高温稳定、耐疲劳性强 半导体、航空、高温薄膜
Mo 高熔点、硬度高但脆性较大 电极、真空部件
Re 延展性极佳、抗腐蚀 高端涂层、器件结构
WRe 高温强度高但成本更高 航空航天、传感器

常见问题(FAQ)

1. MoRe 靶材最常见的合金比例是什么?
Mo-47Re 是行业最常用的标准比例,兼具性能与可加工性。

2. MoRe 是否比纯钼更适合高温薄膜?
是的,MoRe 具有更好的塑性、抗蠕变和抗脆化能力。

3. MoRe 的溅射是否容易产生颗粒?
致密度高的 MoRe 靶材颗粒产生率很低,膜层质量稳定。

4. 是否支持背板键合?
支持 Cu、Ti 背板或 In 焊,提升散热及稳定性。

5. MoRe 是否适用于 RF 溅射?
适用于 DC、RF 及磁控溅射系统。

6. 薄膜电阻率是否稳定?
MoRe 膜层的电阻温度系数低、稳定性高。

7. 是否能定制特殊尺寸?
支持 1″–12″ 全尺寸定制。

8. 适用于耐腐蚀工况吗?
MoRe 对酸、碱与高温气氛均具有优良抗腐蚀性。


包装与交付(Packaging)

所有 MoRe 靶材均采用:

  • 真空密封包装

  • 防震泡棉保护

  • 出口级木箱或抗压纸箱

  • 唯一追溯序列编号

确保运输途中的洁净与安全。


结论(Conclusion)

钼铼靶材(MoRe)凭借其卓越的高温稳定性、优异的机械性能、良好的电学特性及强抗腐蚀能力,是高端半导体、能源航空、真空电子与研究级薄膜制备的理想材料。苏州科跃材料可提供高纯、高致密度的 MoRe 靶材,并支持科研与工业批量供应。

如需报价或技术资料,请联系:
sales@keyuematerials.com