您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
钼硅靶材（MoSi）是一种兼具优异耐高温性能、电学稳定性和结构强度的复合金属靶材，常用于半导体薄膜、电阻膜、扩散阻挡层、微电子器件以及耐高温功能涂层的制备。
Mo–Si 系材料具有化学稳定性高、抗氧化性能强、膜层结构均匀等特点，是现代集成电路、传感器及精密薄膜技术中广泛使用的重要材料。
钼硅靶材以高纯钼（Mo）和硅（Si）为主要组分，通过真空熔炼、热等静压（HIP）、冷等静压（CIP）、热压烧结等工艺制备，确保高致密度与优良的溅射性能。
可提供参数：
纯度：99.5%、99.9%、99.99%
尺寸范围：直径 25–300 mm，可定制矩形、阶梯靶
厚度：3–6 mm（可选）
致密度：≥97%
化学计量比：MoSi₂、Mo₅Si₃、MoSi（定制配比可选）
背板键合：铜背板（Cu）、钛背板（Ti）、铟焊（In Bonding）
材料特点与性能优势：
高温氧化稳定性优异（MoSi₂ 可耐受至 1600°C 以上）
电阻温度系数稳定，适用于精密电阻薄膜
溅射均匀性好，可获得低缺陷薄膜
化学惰性强，适合腐蚀性环境薄膜制备
高强度与高硬度，使用寿命长
背板键合可显著降低热应力，提升稳定性
钼硅靶材在各类高端薄膜应用中具有重要作用，典型应用包括：
半导体薄膜沉积：导电层、阻挡层、扩散层
电阻薄膜（Resistive Films）
高温抗氧化涂层（MoSi₂ 涂层）
传感器薄膜、MEMS 微机电系统
光学镀膜材料（抗反射、绝缘保护）
真空加热元件、耐高温薄膜结构
科研与材料开发
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.5%–99.99% | 影响薄膜电阻率与缺陷密度 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配主流溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定使用寿命与沉积速率 |
| 致密度 | ≥97% | 致密度越高，膜层越均匀 |
| 成分比 | MoSi₂ / MoSi / Mo₅Si₃ | 决定膜层电学与热学特性 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In 焊 | 提升热传导与溅射稳定性 |
| 材料 | 特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| MoSi | 电学稳定性好、耐高温 | 半导体、电阻膜 |
| MoSi₂ | 极高耐氧化性 | 高温保护膜、加热元件 |
| Mo | 高熔点、化学稳定性高 | 金属电极层、机械结构 |
| Si | 半导体性能突出 | 功能薄膜、电子器件 |
1. 钼硅靶材适用于哪些溅射方式？
适用 DC、RF、磁控溅射等多种系统。
2. 是否可定制 Mo/Si 化学计量比？
可以，支持 MoSi₂/MoSi/Mo₅Si₃等多种比例。
3. MoSi 膜层的电阻率表现如何？
具有稳定电阻率，适用于电阻薄膜与阻挡层。
4. 适用于高温或真空设备吗？
可耐受高温环境，适用于高温薄膜工程。
5. 背板键合是否必要？
推荐使用 Cu/Ti 背板，可提高散热并延长寿命。
6. 能否用于微电子加工？
可用于 CMOS、MEMS、传感器等精密器件薄膜。
7. 与 Si、SiO₂ 基底兼容性如何？
兼容性非常好，附着力高，应力低。
8. 是否易产生颗粒？
高致密度靶材可显著减少颗粒溅出。
9. 可否用于大面积镀膜？
可，支持 4 英寸、6 英寸、8 英寸等规格。
10. 是否提供检测报告？
所有靶材均附纯度、密度、外观与尺寸检测数据。
钼硅靶材出厂前均经过严格检验，并采用：
真空密封
防震泡棉
出口级木箱或防压纸箱
唯一序列号可追溯系统
确保靶材在运输过程中保持洁净、安全与稳定。
钼硅靶材（MoSi）凭借其高度稳定的电学性能、耐高温特性和优良溅射表现，在半导体制造、电阻薄膜、光学镀膜及高温功能材料领域具有广泛应用价值。
苏州科跃材料科技有限公司可为科研与产业客户提供多规格、高纯度、高致密度 MoSi 靶材解决方案。
如需报价或技术参数，请联系：
sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1