钴铁靶材（CoFe）

产品简介（Introduction）

钴铁靶材（CoFe）由钴（Co）与铁（Fe）组成，是磁性材料领域中最重要的功能性合金靶材之一，具有极高的磁导率、低矫顽力、良好的电学稳定性和优异的成膜均匀性。
CoFe 以其磁性强、噪声低、膜层结构清晰、磁矩高等特点，被广泛用于自旋电子学、TMR/GMR 器件、磁传感器、MRAM、射频器件、微电子薄膜及纳米磁学研究。

由于钴提供高磁矩与结构稳定性，铁提供优异的软磁性能，两者结合后形成的 CoFe 薄膜在磁性器件中具有极高的性能优势。

产品详情（Detailed Description）

CoFe 靶材主要通过粉末冶金工艺（CIP、真空烧结、HIP）制备，可达到 99% TD 的致密度，确保溅射过程的稳定性及低颗粒率。合金比例可根据性能需求进行精确定制，以适配不同磁性薄膜系统。

常见技术参数

• 纯度（Purity）：99.9% – 99.99%

• 典型成分（Composition）：

  • Co90Fe10

  • Co70Fe30

  • Co60Fe40

  • Co50Fe50

  • 可根据磁学要求定制比例

• 直径（Diameter）：Ø25–300 mm

• 厚度（Thickness）：3–6 mm（可做薄靶）

• 致密度（Density）：≥95–99% TD

• 工艺（Process）：CIP + Vacuum Sintering / HIP

• 背板结合（Bonding）：Cu、Ti、Al 或铟焊（In Bonding）

材料优势

• 极高磁矩（高达 2.3 T）

• 超低矫顽力（适合软磁器件）

• 结构稳定、膜层致密

• 膜厚均匀性佳、低颗粒

• 高导电性，适用于高速器件

• 支持 DC / RF 溅射

应用领域（Applications）

1. 磁性器件（Magnetic Devices）

• 磁传感器

• 霍尔元件

• 电磁拾音器

• 高频磁性结构层

CoFe 的高磁矩使其成为磁性薄膜中最核心的材料之一。

2. 自旋电子学（Spintronics）

• GMR（巨磁阻）薄膜

• TMR（隧道磁阻）结构

• MRAM（磁阻式随机存储）

• 自旋阀结构（Spin Valve）

CoFe 是自旋电子器件的关键材料。

3. 微电子与半导体工艺（Microelectronics & Semiconductors）

• 扩散阻挡层

• 屏蔽层（Magnetic Shielding）

• 高频金属层

• 磁场控制薄膜

4. 科研与材料开发（R&D）

• 纳米磁性材料研究

• 高磁矩金属间化合物研究

• 多层磁性结构（CoFe/Ru、CoFeB 等）

• 反应性溅射 CoFe-O、CoFe-N

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

包装（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 干燥剂保护

• 多层防震缓冲

• 出口级硬质包装

• 每片靶材附唯一批号与检测记录

结论（Conclusion）

钴铁靶材（CoFe）凭借其超高磁矩、优异软磁特性与结构稳定性，是目前磁性器件、自旋电子学和磁存储工程中最重要的金属靶材之一。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制成分与背板的 CoFe 靶材，适用于科研与工业级薄膜沉积。

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