钴铁硼靶材（CoFeB）

产品简介（Introduction）

钴铁硼靶材（CoFeB）是一种由钴（Co）、铁（Fe）和硼（B）组成的功能性磁性溅射靶材，在自旋电子学（Spintronics）领域具有核心地位，广泛用于磁性隧道结（MTJ）、自旋转移力矩型 MRAM（STT-MRAM）、磁阻传感器及高性能磁性叠层结构中。

CoFeB 薄膜具有超高自旋极化率、良好的软磁性能、可控退火结晶行为、与 MgO 隧道层优异的界面匹配性等特性，是当前先进 MRAM 量产中使用最广泛的关键材料。

产品详情（Detailed Description）

CoFeB 靶材由高纯 Co、Fe、B 原料制备，通过真空熔炼、粉末冶金（PM）、CIP/HIP 热等静压、固相扩散合金化和精密加工工艺生产，具有：

• 高致密度（≥97%）

• 成分均匀一致

• 极低颗粒率

• 缓释应力、溅射稳定性好

可提供规格：

• 纯度：99.9% – 99.99%

• 常见成分比：

  • Co40Fe40B20

  • Co20Fe60B20

  • Co32Fe48B20

  • 支持任意定制比例

• 直径：Φ25–Φ300 mm（支持矩形靶）

• 厚度：3–6 mm

• 背板：Cu 背板、Ti 背板、In 焊皆可

• 表面精度：Ra < 0.8 μm，可提供镜面级

材料优势：

• 高自旋极化率

• 可控晶化过程（退火后形成 CoFe + B 偏析）

• 与 MgO 隧道层高度匹配

• 软磁性能优异：低矫顽力、高磁导率

• 低颗粒薄膜，适合超薄结构沉积

• 良好热稳定性和界面稳定性

应用领域（Applications）

自旋电子学（Spintronics）核心材料

• MTJ（Magnetic Tunnel Junction）

• STT-MRAM / SOT-MRAM

• 旋转阀结构（Spin Valve）

• 自旋极化注入层

磁性与高频器件

• 高灵敏磁阻传感器

• 薄膜磁头

• 高频磁性薄膜

• 软磁薄膜结构

微电子与薄膜工程

• 电极层

• 缓冲层 / 过渡层

• 超薄磁性叠层结构研究

CoFeB 是全球存储器产业链中使用最成熟、需求量最大的软磁/自旋极化材料之一，尤其在 28–14 nm MRAM 量产制程中不可或缺。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. CoFeB 为什么是 MRAM 的核心材料？
因其与 MgO 界面形成高 TMR 效应，是目前最强自旋极化材料之一。

2. 成分比可以定制吗？
可以，可根据矫顽力、磁通密度或退火特性要求定制。

3. 是否适用于 RF / DC / 磁控溅射？
均可稳定使用。

4. CoFeB 退火后会发生什么变化？
B 元素偏析，CoFe 晶粒形成，使 TMR 和磁性大幅提升。

5. 是否支持 8–12 英寸大靶？
完全支持，同时可做矩形靶、阶梯靶。

6. 是否随货提供检测报告？
出厂附 ICP、密度、纯度与外观检测报告。

包装与交付（Packaging）

• 真空封装防氧化

• 防震泡棉与抗压纸箱

• 若为大尺寸，则提供出口木箱

• 每件附独立批次编号可追溯

结论（Conclusion）

钴铁硼靶材（CoFeB）作为自旋电子学和 MRAM 工艺的重要材料，凭借高自旋极化率、软磁性、界面友好性及优异热稳定性，在磁性存储、传感器与先进电子器件中具有不可替代的价值。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密度、多成分可选的 CoFeB 靶材，满足科研到量产各阶段需求。

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