钨靶材(W)

钨靶材(W Sputtering Target)

产品简介

钨(W)是一种高熔点、高密度的难熔金属,具有优异的热稳定性、导电性及耐腐蚀性能,是高端薄膜制备中不可或缺的重要材料。钨靶材在半导体、光学镀膜及能源材料等领域中广泛应用,可用于形成致密、附着力强的功能性薄膜,尤其适用于高功率磁控溅射及长时间连续运行的真空镀膜系统。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度钨靶材(纯度99.95%–99.999%),采用真空熔炼、电渣重熔及热等静压(HIP)工艺制备,组织致密均匀,表面光洁平整。产品可提供圆形、矩形、环形及定制形状,适配各种主流溅射设备。
背板可选铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonded)结合,以优化热传导与结构稳定性,有效延长靶材寿命。

技术特点

  • 高熔点(3410 °C),耐高温不变形;

  • 极低气体杂质含量,薄膜纯度高;

  • 优异的导电性与导热性;

  • 致密结构与良好溅射均匀性;

  • 适配DC与RF磁控溅射系统。

应用领域

  • 半导体器件:用于电极层、栅极层、扩散阻挡层及互连结构;

  • 光学镀膜:用于高反射膜、吸收膜及红外器件镀层;

  • 能源材料:在太阳能电池及氢能技术中用于功能薄膜制备;

  • 平板显示与触控:用作透明导电膜背电极或吸光层;

  • 科研实验:用于多层结构、复合靶及高真空沉积研究。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.95% – 99.999% 纯度高可减少薄膜污染与缺陷
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流溅射设备
厚度 3 – 6 mm 影响溅射速率与膜厚均匀性
密度 ≥ 19.3 g/cm³ 致密度高,溅射速率稳定
背板结合 Cu / Ti / In 焊 提高散热效率与结构稳定性
制备工艺 热等静压(HIP)/真空烧结 微结构均匀,寿命更长

常见问题(FAQ)

问题 答案
钨靶材可用于哪些溅射系统? 适用于直流(DC)与射频(RF)磁控溅射系统。
为什么钨适合高温溅射? 因其高熔点与优异的热稳定性,可承受高功率密度。
钨靶材的主要薄膜用途有哪些? 用于形成金属电极、阻挡层及吸光膜层。
是否可与其他材料共溅射? 可以,与Ti、Ta、Mo、Si等共溅射以形成复合薄膜。
是否能用于光学镀膜? 是的,常用于反射镜、红外滤光片及高密度吸收层。
靶材寿命如何延长? 使用高纯靶材并采用Cu或In焊背板有助于散热和延长寿命。
是否支持定制尺寸? 可提供Ø25–Ø300 mm、矩形及环形定制规格。
可否提供双面抛光? 可以,确保膜层附着力与厚度均匀性。
是否易氧化? 钨稳定性高,但建议避光防潮保存。
包装方式? 真空密封、防震泡沫、出口级木箱包装,确保洁净运输。

结论

钨靶材凭借其超高熔点、优良热导率与化学稳定性,是高真空溅射和高能镀膜领域的理想选择。苏州科跃材料科技有限公司为全球科研院所与高端制造客户提供高纯钨靶材及定制化服务,确保稳定性能与卓越品质。

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