钨蒸发材料（W）

产品简介（Introduction）

钨（Tungsten，W）是一种典型的难熔金属，以其极高的熔点、优异的高温强度、低蒸气压和卓越的热稳定性而著称。钨蒸发材料在高温真空蒸发、电子束蒸发以及特殊功能薄膜制备中具有不可替代的地位，广泛应用于半导体、真空电子、光学镀膜及先进材料研究领域。

作为蒸发材料，钨在高温条件下表现出极佳的尺寸稳定性和成分稳定性，特别适合 电子束蒸发（E-beam Evaporation） 以及高功率蒸发工艺，是制备高致密金属膜和功能薄膜的重要材料。

产品详情（Detailed Description）

钨蒸发材料采用高纯金属钨粉或钨锭为原料，经粉末冶金、烧结与精加工工艺制备，严格控制杂质含量，确保蒸发过程稳定可控。

• 化学符号： W

• 原子量： 183.84

• 纯度： 99.9% – 99.999%（3N–5N，可定制）

• 熔点： ~3422 °C

• 沸点： ~5555 °C

• 蒸气压： 极低（高温下稳定）

• 形态： 颗粒 / 小块 / 片状 / 丝材 / 定制形态

• 适用蒸发方式： E-beam Evaporation（推荐） / 高温热蒸发

• 兼容蒸发源： 水冷铜坩埚、电子束蒸发源、钨舟（特殊工况）

高纯钨蒸发材料可显著降低杂质引入，提升薄膜的结构致密度、电学稳定性和耐高温性能。

应用领域（Applications）

● 半导体与微电子

• 金属互连层

• 阻挡层与扩散阻挡层

• 接触层与电极薄膜

● 真空电子与高温器件

• 真空电子器件金属薄膜

• 高温结构功能层

• 高功率电子束蒸发涂层

● 光学与功能镀膜

• 反射层与功能金属膜

• 红外与特殊光学系统金属层

• 多层光学结构中的金属中间层

● 科研与先进材料研究

• 难熔金属薄膜研究

• 高温物性实验

• 与氧化物、氮化物形成复合薄膜结构

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

• 钨适合热蒸发吗？
  由于熔点极高，通常推荐使用电子束蒸发。

• 是否可提供 5N 高纯钨？
  可以，适用于半导体与科研应用。

• 钨蒸发材料常见形态有哪些？
  常见为颗粒、块状、片状和钨丝，可定制。

• 是否适合制备致密金属膜？
  是的，钨膜致密、稳定、耐高温。

• 是否支持定制尺寸与形态？
  支持，根据蒸发源和工艺需求定制。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封或惰性气体保护包装

• 防氧化、防污染处理

• 抗震包装

• 出口级运输标准

• 随附 COA 与批次追溯信息

结论（Conclusion）

钨蒸发材料（W）凭借其极高熔点、卓越的热稳定性和极低蒸气压，在高温真空蒸发、电子束蒸发及先进薄膜制备中占据关键地位。高纯钨蒸发材料能够显著提升薄膜质量与工艺可靠性，是半导体、真空电子与科研领域中不可或缺的难熔金属材料。

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