钛/铂金属化硅基片（带氧化层）

产品简介（Introduction）

钛/铂金属化硅基片（带氧化层）是一种在硅衬底表面先形成二氧化硅（SiO₂）绝缘层，再沉积钛（Ti）与铂（Pt）金属薄膜的复合结构基片。该结构广泛应用于微电子器件、电化学传感器、MEMS 以及高温微系统研究领域。

其中，SiO₂ 层提供优异的电绝缘性能与界面稳定性；Ti 层作为粘附层显著增强金属与氧化硅之间的结合强度；Pt 层则具有优良的化学惰性、耐高温性和导电性能。该多层结构在高端薄膜沉积、微加工及功能器件制备中具有稳定可靠的表现。

产品详情（Detailed Description）

基底结构：

• 硅片类型：P型 / N型 单晶硅（<100> 或 <111> 取向）

• 氧化层：热氧化 SiO₂，厚度常规 100 nm – 1 µm（可定制）

• 金属层结构：Ti / Pt

• Ti 层厚度：10 – 50 nm（典型粘附层）

• Pt 层厚度：50 – 300 nm（功能电极层）

制造工艺：

• 氧化层：热氧化工艺，形成高致密绝缘层

• 金属层沉积：磁控溅射或电子束蒸发

• 图形化：可选光刻与刻蚀定制图形电极

性能优势：

1. 优异附着力
   Ti 作为过渡层显著提高 Pt 与 SiO₂ 之间的界面结合强度，避免金属层剥离。

2. 高化学稳定性
   Pt 具有良好的抗氧化与抗腐蚀性能，适用于酸性、电解质或高温环境。

3. 良好导电性能
   适合作为电极层或导电通路，电阻稳定，热稳定性优异。

4. 结构稳定性强
   SiO₂ 层隔离硅衬底与金属层，减少扩散与界面反应风险。

应用领域（Applications）

1. 半导体与MEMS器件

• 微加热器

• 热电传感器

• 压力传感器电极

• 微电极阵列

2. 电化学与生物传感

• 电化学工作电极

• 生物检测芯片电极

• 微流控系统集成电极

Pt 的惰性使其在电化学检测中具有高稳定性与重复性。

3. 高温微系统

• 高温加热平台

• 气体传感器

• 微反应器基底

4. 薄膜沉积研究

• 作为底电极沉积铁电薄膜

• 压电材料沉积基底

• 催化层研究载体

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. 是否可以定制氧化层厚度？
可以，氧化层厚度可根据绝缘需求进行定制。

2. 是否可以做图形化电极？
支持光刻图形化定制。

3. Pt 层是否可加厚？
可以，根据电阻或耐腐蚀需求调整。

4. 是否兼容高温工艺？
适用于 600°C 以下工艺环境。

5. 表面洁净度如何保证？
采用洁净室工艺与真空封装。

6. 可否替换 Pt 为 Au？
可以，但耐腐蚀性会降低。

7. 是否适用于电化学测试？
非常适合，Pt 具有良好的电化学稳定性。

8. 是否支持小批量科研订单？
支持样品与小批量定制。

9. 是否可提供双面金属化？
可根据需求设计。

10. 是否提供检测报告？
可提供膜厚测试与电阻测试数据。

包装与交付（Packaging）

所有钛/铂金属化硅基片在出厂前均经过膜厚测试与外观检测，并附带唯一追溯编号。采用洁净真空封装、防震包装及出口级保护措施，确保运输过程中保持表面完整与洁净。

结论（Conclusion）

钛/铂金属化硅基片（带氧化层）凭借优异的附着性能、化学稳定性与高温可靠性，在微电子、电化学及高温传感领域具有重要应用价值。其多层结构设计有效提升器件稳定性与使用寿命，是科研与高端制造领域理想的功能基底材料。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：
sales@keyuematerials.com