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钛铟靶材(TiIn)由钛(Ti)与铟(In)组成,是一种兼具优异附着性、可调电学性能与良好成膜均匀性的金属合金靶材。Ti–In 体系因其在薄膜黏附性、导电性调控、氧化稳定性以及复合功能薄膜开发中表现出显著优势,广泛用于半导体工艺、光学镀膜、电极层材料、阻挡层和先进功能薄膜研究。
钛元素赋予薄膜更高的附着力与强度,铟则提供良好的导电性与光学特性,使 TiIn 靶材适用于需要兼具机械稳定性与电学性能的薄膜应用。
钛铟靶材采用高纯金属粉末,经冷等静压(CIP)成型和真空烧结/热压烧结(HP)工艺制成,具有高致密度、均匀组织和稳定成分分布,可在 RF/DC 磁控溅射下保持稳定的沉积速率。
典型规格:
纯度(Purity):99.9% – 99.99%
直径(Diameter):Ø25 – Ø300 mm(可定制 1″ / 2″ / 3″)
厚度(Thickness):3 – 6 mm
成分比例(Composition):Ti/In 可按需求定制(常见如 Ti30In70、Ti50In50)
工艺:CIP + 真空烧结 / 热压烧结
致密度(Density):≥95% TD
背板(Bonding):可提供 Cu / Ti 背板、铟焊或扩散焊
产品优势:
高附着力薄膜
更低颗粒率(Particles)
稳定导电性与可调光学性能
良好的耐腐蚀与抗氧化能力
适合大面积溅射与量产工艺
钛铟靶材在光电与半导体行业中具有广泛应用,典型领域包括:
电极材料
粘附层(Adhesion Layer)
金属过渡层、阻挡层(Barrier Layer)
用于调节折射率、改善膜层附着性,常见于:
光学窗口
反射镜
光学滤光膜
显示器薄膜结构
透明导电层(与 In 体系兼容)
电阻调控薄膜
耐磨薄膜
多层结构复合膜
适用于成分调控、应力调节、界面工程等研究。
兼容 RF / DC 磁控溅射、共溅射、反应溅射(O₂ / N₂)。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 降低夹杂,提升薄膜性能 |
| 成分比例 | Ti/In 可定制 | 满足不同膜层电学/光学需求 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配各种溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射速率与寿命 |
| 致密度 | ≥95% TD | 薄膜更致密、更均匀 |
| 背板 | Cu / Ti / In 焊 | 提升散热、减少裂纹 |
| 材料 | 特点 | 应用方向 |
|---|---|---|
| TiIn | 良好附着性 + 稳定电学性能 | 粘附层、光电薄膜、复合膜结构 |
| TiS、TiN 系靶材 | 高硬度、耐磨 | 耐磨层、装饰涂层 |
| In 系靶材(如 ITO) | 高透光 + 导电性佳 | 透明导电薄膜 |
| TiAl | 高附着力、耐腐蚀 | 半导体金属层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| TiIn 靶材适合 RF 还是 DC? | 两者均支持,铟含量较高时更建议 RF。 |
| 是否可定制不同 Ti:In 比例? | 可以,成分可按需求配比。 |
| 是否支持大尺寸靶材? | 可提供最大 Ø300 mm 的靶材。 |
| 是否易氧化? | 靶材本体稳定,建议真空密封储存。 |
| 可否用于共溅射? | 可,与氧化物、金属、氮化物共溅射均可。 |
| 是否建议加背板? | 大尺寸靶材建议 Cu/Ti 背板提高散热。 |
| 是否适合反应溅射? | 可在 Ar/O₂、Ar/N₂ 环境稳定运行。 |
每片钛铟靶材出厂前均:
真空密封防氧化
进行纯度与外观检测
使用防震泡沫保护
装入出口级硬纸箱或木箱
附带唯一批次编号和追踪标签
确保运输过程安全、洁净、无损伤。
钛铟靶材(TiIn)作为一种电学与机械性能均衡的复合金属靶材,可稳定应用于光电、半导体及多功能薄膜领域。苏州科跃材料科技有限公司提供定制配比、定制尺寸以及专业背板键合方案,是科研机构和高科技企业的可靠供应伙伴。
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