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钆铟靶材(GdIn)由稀土金属钆(Gd)与金属铟(In)组成,是一种兼具磁性调控、电学可调性与优良薄膜附着性能的高功能合金靶材。钆具有强磁性与独特的磁热特性,而铟具备优异延展性、导电性和界面结合能力。两者复合后的 GdIn 薄膜在磁性材料、电光功能膜、传感器以及先进电子器件中表现突出。
该靶材适合用于 DC / RF 磁控溅射、反应性溅射、离子束镀膜(IBS)及 PLD(脉冲激光沉积)等多种薄膜制备工艺。
GdIn 靶材通常采用真空熔炼、CIP 冷等静压、热压(HP)或 HIP(热等静压)等方式制备,以获得高致密度、成分均匀和低氧含量的靶材结构。精密加工后的表面适用于高功率溅射环境,放电稳定、颗粒少。
纯度(Purity):99.9% – 99.99%
成分比例(Composition,可定制):
Gd 10–70%
In 30–90%
支持原子比 / 质量比定制
尺寸(Size):Ø25–300 mm 圆形靶;矩形靶可定制
厚度(Thickness):2–6 mm
工艺(Process):Vacuum Melting / CIP / HP / HIP
背板(Bonding):Cu / Ti / In 焊接可选
可控磁性(随钆含量变化)
膜层均匀、结构致密
良好导电性与界面润湿性
适用于中低温镀膜工艺
支持制备 GdIn-O / GdIn-N 反应性薄膜
对 Si、玻璃、ITO、蓝宝石等基底附着性优良
Gd 的强磁性赋予 GdIn 薄膜可调磁响应特征,适用于:
磁致冷材料研究
自旋电子学(Spintronics)
磁传感器(Magnetic Sensors)
磁光薄膜
GdIn 具有良好界面结合特性,适用于:
光学保护膜
导电功能层
光电探测器结构薄膜
红外感测薄膜
Gd 与 In 的复合薄膜可用于:
金属接触层(Contact Layers)
阻挡层(Barrier Layers)
多层电子结构堆栈膜
介电界面调控
适用于:
环境传感薄膜
磁敏 / 电敏复合材料
压力 / 应变敏感膜
| 参数 | 数值 / 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9–99.99% | 科研与工业级 |
| 致密度 | ≥98–100% TD | 薄膜颗粒少、均匀性高 |
| 成分比 | Gd/In 可定制 | 控制磁性/电阻率 |
| 厚度 | 2–6 mm | 支持薄靶 |
| 背板 | Cu / Ti / In | 散热好、强度高 |
| 材料 | 特点 | 应用方向 |
|---|---|---|
| GdIn | 可调磁性 + 良好界面结合性 | 磁性膜/光电膜/传感器 |
| GdFe | 高磁性 | 磁性器件 |
| In | 延展性强、导电性好 | 透明电子材料 |
| GdGa | 更强磁性 | 自旋材料 |
1. GdIn 靶材可用于 RF 溅射吗?
可以,兼容 DC / RF / HiPIMS。
2. 是否支持制作 300mm 靶材?
可以,支持全尺寸定制。
3. GdIn 膜层磁性可以调控吗?
可以,主要通过 Gd 含量控制。
4. 是否可做反应性溅射?
支持制备 GdIn-O / GdIn-N 功能性薄膜。
5. 是否支持背板绑定?
支持铜背板、钛背板和铟焊。
双层真空密封
干燥剂防潮保护
防震泡沫
出口级木箱/硬盒
每片附唯一批号与 COA
钆铟靶材(GdIn)凭借其可调磁性、稳定电学性能与优良薄膜附着性,在磁性薄膜、光电薄膜、传感器及半导体领域具有重要应用价值。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、成分可定制的 GdIn 靶材,满足科研与工业应用需求。
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