钆酸钕衬底 (NdGaO₃)

苏州科跃 钆酸钕(NdGaO₃)衬底

苏州科跃提供高品质钆酸钕(NdGaO₃)衬底,以卓越的晶格匹配性能、高热稳定性和优异的介电特性而闻名。该类衬底是复杂氧化物材料外延生长的理想选择,广泛应用于量子电子学、超导技术及高性能光电子器件领域。

NdGaO₃ 衬底在高质量薄膜的生长中具有出色的导电性能,常用于铁电、压电及多铁性材料的制备。其高折射率及在可见光和红外波段的良好透光性能,使其同样适用于光学与光子器件。此外,在氧化物电子学中,NdGaO₃ 衬底凭借低缺陷密度和优异的晶体质量,成为自旋电子学及电阻开关器件研究的重要材料。

苏州科跃可根据客户需求,定制满足下一代电子与光子器件严格要求的 NdGaO₃ 衬底,确保优异的材料质量与最佳的应用性能。

钆酸钕衬底主要物理性能

性能参数 数值
材料 NdGaO₃(钆酸钕)
晶体结构 正交晶系
晶格常数 (Å) a = 5.43, b = 5.5, c = 7.71
生长方法 提拉法(Czochralski)
熔点 1600℃
密度 (g/cm³) 7.57
介电常数 ε = 25

钆酸钕衬底规格

规格 参数
尺寸 10 × 3 mm、10 × 5 mm、10 × 10 mm、15 × 15 mm、20 × 20 mm、直径 15 mm、直径 20 mm、直径 1″、直径 2″
厚度 0.5 mm、1.0 mm
抛光 单面抛光 (SSP) 或双面抛光 (DSP)
晶向 <100>、<110>、<111>
定向精度 ±0.5°
边缘倒角 2°(可选 1°)
晶体角度 可按需提供特殊尺寸与晶向
表面粗糙度 (Ra) ≤ 5 Å(5 μm × 5 μm)

包装细节

苏州科跃在 Class 100 洁净袋或晶圆盒中封装 NdGaO₃ 衬底,并在 Class 1000 洁净室内完成包装,确保产品在运输及存储过程中的洁净度与品质。

选择苏州科跃高性能钆酸钕(NdGaO₃)衬底,为高质量外延薄膜生长及先进超导与磁性材料应用提供可靠支持。