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苏州科跃提供高品质钆酸钕(NdGaO₃)衬底,以卓越的晶格匹配性能、高热稳定性和优异的介电特性而闻名。该类衬底是复杂氧化物材料外延生长的理想选择,广泛应用于量子电子学、超导技术及高性能光电子器件领域。
NdGaO₃ 衬底在高质量薄膜的生长中具有出色的导电性能,常用于铁电、压电及多铁性材料的制备。其高折射率及在可见光和红外波段的良好透光性能,使其同样适用于光学与光子器件。此外,在氧化物电子学中,NdGaO₃ 衬底凭借低缺陷密度和优异的晶体质量,成为自旋电子学及电阻开关器件研究的重要材料。
苏州科跃可根据客户需求,定制满足下一代电子与光子器件严格要求的 NdGaO₃ 衬底,确保优异的材料质量与最佳的应用性能。
| 性能参数 | 数值 |
|---|---|
| 材料 | NdGaO₃(钆酸钕) |
| 晶体结构 | 正交晶系 |
| 晶格常数 (Å) | a = 5.43, b = 5.5, c = 7.71 |
| 生长方法 | 提拉法(Czochralski) |
| 熔点 | 1600℃ |
| 密度 (g/cm³) | 7.57 |
| 介电常数 | ε = 25 |
| 规格 | 参数 |
|---|---|
| 尺寸 | 10 × 3 mm、10 × 5 mm、10 × 10 mm、15 × 15 mm、20 × 20 mm、直径 15 mm、直径 20 mm、直径 1″、直径 2″ |
| 厚度 | 0.5 mm、1.0 mm |
| 抛光 | 单面抛光 (SSP) 或双面抛光 (DSP) |
| 晶向 | <100>、<110>、<111> |
| 定向精度 | ±0.5° |
| 边缘倒角 | 2°(可选 1°) |
| 晶体角度 | 可按需提供特殊尺寸与晶向 |
| 表面粗糙度 (Ra) | ≤ 5 Å(5 μm × 5 μm) |
苏州科跃在 Class 100 洁净袋或晶圆盒中封装 NdGaO₃ 衬底,并在 Class 1000 洁净室内完成包装,确保产品在运输及存储过程中的洁净度与品质。
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