磷化锗靶材（GeP）

产品简介（Introduction）

磷化锗（GeP）是一种由锗（Ge）与磷（P）组成的二元化合物，属于 IV–V 族功能材料体系。GeP 具备独特的半导体特性、各向异性光电性质、良好的化学稳定性以及可调电子结构，近年来在光电器件、红外探测、二维材料研究及新型半导体薄膜开发中受到高度关注。

磷化锗靶材（GeP Sputtering Target）通常用于磁控溅射沉积高纯、致密且均匀的 GeP 薄膜，适用于光电探测、场效应晶体管、红外传感器、量子材料探索及各类先进半导体结构。

产品详情（Detailed Description）

GeP 靶材通常通过以下工艺制备：

• 固相反应合成（Solid-State Reaction, SSR）

• 真空密闭烧结（Vacuum Sealed Sintering）

• 热压烧结（Hot Pressing, HP）

• 冷等静压（CIP）+ 高温致密化

典型参数如下：

• 纯度：99.9%（3N）– 99.999%（5N）

• 化学计量比：GeP（可提供轻度偏磷/偏锗配比）

• 颜色：黑色或深灰色

• 晶体结构：层状单斜结构（具有二维材料潜力）

• 致密度：≥95%–98% 理论致密度

• 尺寸规格：直径 25–300 mm 或矩形靶材

• 厚度：3–6 mm（可按设备需求定制）

• 背板结合：Cu / Ti / In 焊接（建议用于高功率溅射）

材料优势：

• 稳定的化学结构

• 高纯度、低杂质含量

• 高致密度减少溅射颗粒

• 适用于 UHV / HV 溅射系统

• 可沉积高均匀性光电薄膜

应用领域（Applications）

● 光电器件与红外探测（Optoelectronics & IR Detection）

GeP 的带隙及光吸收特性使其适用于：

• 红外/近红外探测器

• 光学吸收薄膜

• 可调光电响应器件

• 各向异性光电器件（因其层状结构）

● 半导体与电子薄膜（Semiconductors）

GeP 属于 IV–V 族半导体，可用于：

• 场效应晶体管（FET）

• 载流子调控结构

• pn 结与异质结薄膜

• 半金属/半导体复合结构

● 二维材料研究（2D Materials）

GeP 是潜在的二维层状材料，可用于：

• 2D 光电子结构

• 原子层级界面材料

• 二维半导体量子结构

与黑磷相比，GeP 稳定性更强。

● 多层功能薄膜（Functional Thin Film Stacks）

GeP 可作为：

• 缓冲层

• 光吸收层

• 中间层或界面工程层

• 异质结构中用于带隙调控的薄膜

● 科研与材料发现（Research Applications）

常用于：

• IV–V 族半导体能带研究

• 各向异性电学/光学行为研究

• Ge–P 系化合物的结构稳定性分析

• 先进薄膜沉积方法验证

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 防静电袋洁净包装

• 多层防震缓冲材料

• 出口级木箱运输

• 每片靶材附上检测报告（纯度、成分、致密度、尺寸）

确保材料洁净、安全、适合国际运输。

结论（Conclusion）

磷化锗靶材（GeP）凭借其独特的 IV–V 族化合物特性、优异的光电性能和良好稳定性，已成为光电探测、半导体薄膜、二维材料和先进器件研究中不可或缺的重要材料。高纯度、高致密度的 GeP 靶材可显著提升薄膜质量，为科研与工程应用提供可靠支撑。

如需进一步参数或报价，请联系：
📩 sales@keyuematerials.com