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碳化硅靶材(Silicon Carbide Sputtering Target,SiC)是一种具有超高硬度、优异耐腐蚀性、卓越耐高温性及良好电学和光学性能的陶瓷靶材。在半导体、光电器件、高耐磨涂层、薄膜电极以及先进材料制备中,SiC 靶材因其稳定性、均匀性与高可靠性而成为关键薄膜材料。
SiC 拥有约 2700°C 的熔点、高热导率、化学惰性强,可在严苛工况下保持稳定,是用于制备耐磨层、阻挡层、透光涂层和薄膜电极的理想材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高质量碳化硅靶材,特点如下:
纯度:
99%–99.9%(2N–3N),可按需提高等级。
可提供形状:
圆形靶(直径 25–300 mm)
方形、矩形靶(可定制)
厚度:3–6 mm(可按设备要求调整)
制造工艺:
高纯超细 SiC 粉末(纳米/亚微米级)
真空热压烧结(HP)
热等静压(HIP)提升致密度(≥95%–99% TD)
高精度研磨抛光(Ra < 0.4 μm)
高致密度结构可减少溅射颗粒,提高薄膜均匀性及重复性。
背板结合(可选):
Cu 背板
Mo 背板
铟焊(Indium Bonding)
用于陶瓷靶材的散热增强与防爆靶设计。
SiC 靶材适用于 DC/RF 磁控溅射、E-beam 蒸镀协同膜系、IBS、HiPIMS 等先进工艺。
碳化硅靶材广泛用于电子、光学、能源、航空航天和科研等领域,包括:
SiC 功率器件薄膜
绝缘层/阻挡层
MEMS 结构膜
红外/可见光吸收膜
高耐磨光学保护膜
透明或半透明功能膜
耐磨涂层
高硬度保护膜
工具/模具表面强化涂层
薄膜电极
电池保护层
高温防护膜
金属碳化物体系薄膜
多层复合膜(SiC/TiN、SiC/CrN 等)
SiC 基电子结构与光学性能研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99%–99.9% | 决定膜层缺陷率与稳定性 |
| 致密度 | ≥95%–99% TD | 高致密减少颗粒、提升膜层均匀性 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配行业主流溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响沉积速率与靶材寿命 |
| 硬度 | 约 HV 2500–2800 | 决定耐磨性与机械稳定性 |
| 背板结合 | Cu/Mo/Indium Bonded | 降低陶瓷靶材爆裂风险 |
| 材料 | 优势特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| SiC(碳化硅) | 高硬度 + 高温稳定性 + 高热导 | 半导体、光学保护膜 |
| TiC(碳化钛) | 成膜速度快、硬度高 | 工具涂层、装饰膜 |
| WC(碳化钨) | 极致耐磨性 | 刀具、机械强化膜 |
| ZrC(碳化锆) | 高温稳定性最佳 | 热防护、光学涂层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| SiC 靶材是陶瓷还是金属? | 属于陶瓷类靶材,具有高硬度与耐腐蚀性。 |
| 是否适合 DC 溅射? | 可用于 DC,但 RF 更稳定。 |
| 硬质陶瓷靶材是否容易爆靶? | 使用背板可显著降低风险。 |
| 膜层外观如何? | 膜层通常呈深灰/黑灰色,致密且光滑。 |
| 可提供哪些尺寸? | 支持定制至 Φ300 mm。 |
| 是否可用于 SiC 功率器件工艺? | 是,广泛用于研究和前道/后道工艺。 |
| 半透明/透明膜能实现吗? | 可通过溅射气氛与能量控制。 |
| 是否支持 COA? | 提供纯度、致密度、显微结构等检测报告。 |
| 可否用于高温应用? | 是,SiC 在极高温下依然化学稳定。 |
氩气保护或真空密封
防静电袋 + 防震珍珠棉
出口级木箱或加厚纸箱
附唯一批号与 COA
确保在运输与长期储存中保持清洁、无污染、安全稳定。
碳化硅靶材以其卓越的硬度、高温稳定性、耐腐蚀性和优异电学/光学特性,成为半导体、光学保护膜、耐磨涂层以及先进材料研究的重要材料。高纯、高致密 SiC 靶材能够显著提升薄膜性能与稳定性,是高端薄膜沉积工艺的理想选择。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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