碳化硅晶圆(SiC)

苏州科跃 碳化硅(SiC)晶圆:助力高科技未来

苏州科跃在碳化硅(SiC)晶圆生产领域处于行业领先地位,凭借卓越的品质与持续创新,为高科技产业提供可靠支持。结合丰富的制造经验与先进的生产技术,我们能够为客户定制满足现代应用需求的 SiC 晶圆解决方案。

在苏州科跃,我们注重定制化与精密制造,确保每片晶圆都能为您的特定应用提供理想性能,助推先进技术的未来发展。

碳化硅晶圆规格

规格 参数
尺寸 10 × 3 mm、10 × 5 mm、10 × 10 mm、15 × 15 mm、20 × 15 mm、20 × 20 mm、直径 15 mm、直径 20 mm、直径 1″、直径 2″、直径 4″、直径 6″
厚度 0.35 mm
晶向 <0001>
抛光 单面抛光 (SSP) 或双面抛光 (DSP)
定向精度 ±0.5°
边缘倒角 2°(可选 1°)
晶体角度 可根据需求提供特殊尺寸与晶向
表面粗糙度 (Ra) ≤ 5 Å(5 μm × 5 μm)

碳化硅晶圆物理性能

性能参数 数值
材料 SiC
生长方法 MOCVD
晶体结构 M6
晶格常数 (Å) a = 3.08, c = 15.08
晶向 <0001> 3.5º
密度 (g/cm³) 3.21
莫氏硬度 9.2
熔点 1900°C
热传导率(@300K) 5 W/cm·K
介电常数 ε(11) = ε(22) = 9.66,ε(33) = 10.33

选择苏州科跃碳化硅晶圆,为您的下一代应用提供卓越性能、可靠性与精密度,满足先进半导体技术的未来发展需求。