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碲铟靶材（TeIn）是一种由碲（Te）与铟（In）组成的化合物靶材，兼具Ⅲ–V/Ⅱ–VI材料的光电特性与窄带隙半导体优势。TeIn 薄膜具有良好的红外响应能力、适中的带隙、较高载流子浓度与优异的光电转换效率，因此广泛应用于红外探测、光电传感、薄膜红外器件以及功能电子材料研究。
Te 与 In 的化合物结构赋予其稳定的化学计量比与较好的沉积一致性，是红外与光电材料研究中的重要靶材之一。
苏州科跃材料科技有限公司提供的碲铟靶材采用高纯元素铟与碲，通过真空熔炼、粉末冶金、CIP 成型、热压（HP）或热等静压（HIP）致密化工艺制备。
材料具有均匀的化学计量、较高致密度、良好溅射稳定性，可用于 RF、DC 及脉冲磁控溅射。
化学式：TeIn
纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）
密度：≥ 97–99% 理论密度（T.D.）
尺寸：Ø25–Ø200 mm，可定制矩形靶
厚度：3–6 mm
工艺：CIP + 热压 / HIP
背板（Bonding）：可选 Cu / Ti / Mo 背板，支持铟焊（In Bonding）
稳定的化学计量比 → 保证薄膜组成一致性
较高载流子浓度 → 适用于光电转换
溅射速率稳定，膜层致密
与多种基底兼容（玻璃、Si、氧化物）
适合制备红外薄膜、光电层与功能化电极层
碲铟靶材常用于光电与红外器件的功能薄膜制备，包括：
红外探测薄膜（IR sensing films）
光电探测器结构（Photodetectors）
薄膜红外成像器件
光敏材料薄膜
电子器件的介质调控层
In–Te 系半导体材料研究
光电转换涂层
TeIn 兼具 In 的电子特性与 Te 的光吸收能力，是中短波红外器件的常见薄膜材料。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 化学式 | TeIn | 二元化合物 |
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 高纯减少薄膜缺陷与杂质能级 |
| 致密度 | ≥97–99% T.D. | 膜层致密度与均匀性更高 |
| 尺寸 | Ø25–Ø200 mm | 兼容科研与工业 PVD 装置 |
| 厚度 | 3–6 mm | 可按寿命需求定制 |
| 背板 | Cu/Ti/Mo/In | 提升散热，防止靶材开裂 |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| TeIn | 红外吸收强，带隙适中 | 红外薄膜、光电探测 |
| InSb | 极高电子迁移率 | 高端红外器件、霍尔传感 |
| CdTe | 优秀光吸收 | 太阳能薄膜、光电器件 |
| TeO₂ | 光学透明 | 光学镀膜、声光器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| TeIn 靶材适合 RF 还是 DC？ | 两者均可，通常 RF 效果更稳定。 |
| 化学计量比是否可修改？ | 不建议，TeIn 为固定二元化合物。 |
| 薄膜呈现什么颜色？ | 常见深灰、灰黑色或半金属外观。 |
| 可否提供背板？ | Cu/Ti/Mo 背板均可，铟焊最常用。 |
| 是否附 COA？ | 每批附纯度、密度、外观检测报告。 |
每片靶材真空密封
内部抗震泡棉保护
外层出口级木箱
附唯一批号与检测证书（COA）
碲铟靶材（TeIn）凭借其良好的光电性能与红外响应能力，是红外探测、光电器件与半导体薄膜研究的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密、成分稳定的 TeIn 靶材，可满足科研与工业客户的多样化需求。
如需报价，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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