碲化镓靶材（GaTe）

产品简介（Introduction）

碲化镓（GaTe）是一种具有层状晶体结构的 III–VI 族半导体材料，具有可调带隙、高吸光系数、强各向异性及优异的光电响应性能。作为新型光电材料的重要成员，GaTe 在红外探测、光伏器件、非线性光学、压电与热电薄膜等领域中展现出广泛应用潜力。

GaTe 靶材可通过磁控溅射沉积获得成分均匀、高致密度的 Ga–Te 薄膜，适用于科研薄膜制备、二维材料研究以及光电器件制造。其高纯度与高致密度特性可显著提升薄膜质量，减少缺陷，优化电学与光学性能。

产品详情（Detailed Description）

科跃材料提供的 GaTe 溅射靶材采用高纯镓与高纯碲在真空条件下反应生成，通过冷等静压（CIP）、热压烧结（HP/HIP）、真空固相反应等工艺制备，确保材料具有高均匀性、高稳定性和适合薄膜沉积的致密结构。

可提供规格：

• 纯度：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 尺寸：Ø25–300 mm；厚度 3–6 mm；可按需求定制尺寸及形状

• 密度：≥ 95% 理论密度

• 结构形状：圆形靶、矩形靶、阶梯靶、多段靶等

• 背板结合：可选铜（Cu）、钛（Ti）背板，支持铟焊或扩散焊

优势特点：

• 高纯度确保薄膜缺陷少、成分均匀性高

• 层状半导体结构适合二维薄膜研究

• 可用于制备高吸光率光电薄膜

• 致密度高、机械稳定性强、不易产生颗粒脱落

应用领域（Applications）

GaTe 靶材可广泛用于以下领域的薄膜制备：

• 红外光探测器（IR Detectors）

• 光伏薄膜器件（Photovoltaics）

• 二维材料研究（2D Materials, GaTe Monolayers）

• 压电薄膜、热电薄膜等功能材料

• 非线性光学器件

• 光调制器、光电晶体管（Phototransistors）

• 多层异质结构薄膜（GaTe/MoS₂、GaTe/WS₂ 等）

GaTe 薄膜具有显著的方向依赖性（anisotropy），在光电探测与光通信器件中表现突出。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 GaTe 溅射靶材出厂前均通过密度、尺寸、纯度与相组成检查，并贴附唯一追溯编码。
包装包括：

• 真空密封袋

• 防震泡沫

• 出口级木箱

确保在运输过程中保持材料的洁净度与完整性。

结论（Conclusion）

碲化镓靶材（GaTe）以其独特的层状结构和优异的光电性能，在红外光电、光通信、二维材料与先进半导体研究领域备受关注。通过高纯度、高致密度的靶材沉积，可制备稳定、高性能的 GaTe 薄膜，是科研实验与高端工程应用中不可或缺的材料之一。

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