碲化镓蒸发材料（GaTe）

产品详情（Detailed Description）

碲化镓蒸发材料通常选用高纯镓与高纯碲为原料，通过真空合成或受控熔炼工艺制备形成稳定的 Ga–Te 化合物相，并在生产、加工与包装过程中严格控制氧、水分及金属杂质含量，以确保蒸发过程中化学计量稳定性与薄膜性能可重复性。

• 纯度等级：99.9%（3N）–99.99%（4N），面向科研与高端功能薄膜

• 材料体系：Ga–Te（Ⅲ–Ⅵ族化合物半导体，近化学计量比 GaTe）

• 结构特征：层状晶体结构，层间以范德华力结合

• 光电特性：带隙适中，具备明显各向异性光学与电学响应

• 成膜优势：化合物蒸发有助于保持成分同步沉积，降低组分偏析风险

• 供货形态：颗粒、块状、片状或定制形态，适配钼舟、钨舟及电子束坩埚

通过合理调控蒸发速率、基底温度与后处理条件，可获得结晶取向可控、表面均匀的 GaTe 薄膜。

应用领域（Applications）

碲化镓蒸发材料在多个前沿功能薄膜与器件研究方向中具有应用潜力，包括：

• 二维与层状半导体研究：GaTe 薄膜与低维物性探索

• 光电与光敏器件：光探测、光电响应与调制薄膜

• 各向异性电子器件：方向依赖输运行为研究

• 异质结构与多层薄膜：与石墨烯、h-BN、硫族化合物组合

• 科研与实验室应用：Ga–Te 体系能带结构、界面与缺陷研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：GaTe 蒸发材料适合哪种沉积方式？
A：适用于热蒸发与电子束蒸发，电子束蒸发更利于速率与成分精确控制。

Q2：GaTe 的核心研究价值是什么？
A：其天然层状结构与显著的各向异性光电特性。

Q3：是否主要用于科研用途？
A：是的，目前以二维材料与光电功能研究为主。

Q4：化学计量比可以定制吗？
A：可以，可根据器件需求微调 Ga/Te 比例。

Q5：膜层附着力如何？
A：在 Si、SiO₂、蓝宝石等常见基底上具有良好附着性能。

Q6：是否适合二维材料研究？
A：非常适合，GaTe 属于典型的层状Ⅲ–Ⅵ族半导体。

Q7：是否可用于多层或异质结构？
A：可以，常作为功能层参与多层与异质结构设计。

Q8：科研中常见研究方向有哪些？
A：二维光电器件、各向异性输运、界面工程与低维物性研究。

包装与交付（Packaging）

所有碲化镓蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案，确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、成分稳定性与结构完整性。

结论（Conclusion）

碲化镓蒸发材料（GaTe）凭借其天然层状结构、各向异性光电特性以及稳定可控的成膜表现，在二维半导体与光电功能薄膜研究领域展现出持续的科研价值。对于聚焦低维材料、光电响应或异质结构构建的真空蒸发应用，GaTe 是一类研究指向清晰、材料特征鲜明的高端蒸发材料选择。

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