碲化镍锑靶材（NiSbTe）

产品简介（Introduction）

碲化镍锑靶材（NiSbTe）是一种由镍（Ni）、锑（Sb）和碲（Te）构成的多元化合物靶材，其具有良好的电学特性、稳定的化学结构以及适中的带隙特征，在半导体薄膜、热电材料、光电器件与先进功能薄膜研究中具有重要价值。

NiSbTe 属于典型的镍基三元碲化物，可通过溅射沉积形成致密且成分均匀的薄膜层，适用于研究多元碲化物体系的载流子传输、热电效应、光吸收行为以及能带调控等关键科学问题。

产品详情（Detailed Description）

NiSbTe 靶材一般采用以下工艺制备：

• 固相反应烧结（Solid State Reaction）

• 热压烧结（Hot Pressing, HP）

• 冷等静压（CIP）+ 高温烧结

• 真空合成/封管合成

其特点包括：

• 纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）可定制

• 致密度：≥95% 理论致密度（TD）

• 外观：均匀细腻、无明显孔隙

• 尺寸规格：直径 25–300 mm 或矩形靶材

• 厚度：3–6 mm（可定制）

• 兼容工艺：DC、RF、脉冲 DC 磁控溅射

• 背板结合：Cu、Ti 或 Indium Bonding

这些工艺确保 NiSbTe 靶材具备：

• 稳定的成分与相结构

• 低颗粒率和低缺陷生成

• 适合高功率溅射与长时间沉积

• 优异的热稳定性和机械完整性

应用领域（Applications）

NiSbTe 作为多元碲化物薄膜，广泛适用于以下领域：

● 热电材料（Thermoelectrics）

Ni–Sb–Te 系材料具有可调 Seebeck 系数与较低热导率，适用于：

• 热电发电薄膜

• 微型热电制冷器

• 热电能量回收系统

• 多层热电异质结构研究

● 半导体与电子薄膜材料

NiSbTe 薄膜适用于：

• 功能性导电薄膜

• 调控能带结构的复合半导体

• 屏蔽层、界面层与金属化薄膜

• pn 结结构研究

● 先进光电材料（Optoelectronics）

NiSbTe 的电子结构使其能够用于：

• 可调光吸收薄膜

• 红外/近红外光探测材料

• 光电转换与吸光层

● 多元碲化物功能薄膜研究

作为 NiTe₂、Sb₂Te₃ 等材料的扩展体系，可用于：

• 拓扑材料相关结构

• 多元素复合薄膜调控

• 层状碲化物器件结构

● 科研实验用途

适合用于：

• 新材料探索

• 三元体系薄膜的成分调控

• 薄膜界面与结构表征研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 NiSbTe 靶材均采用：

• 真空密封包装

• 多层防震保护

• 防静电袋＋洁净包装

• 出口级木箱

• 独立序列号与检测报告

确保运输过程中的安全与材料完整性。

结论（Conclusion）

碲化镍锑靶材（NiSbTe）作为一种具有可调导电性、良好热电性能和稳定层状结构的多元化合物薄膜材料，在热电器件、电子薄膜、红外光电器件及新型材料研究领域具有广泛应用。基于高纯度与高致密度制备工艺，可稳定沉积成分均匀、性能可靠的 NiSbTe 薄膜，是科研和新材料开发的重要选材。

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