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碲化镉铟蒸发材料（Cadmium Indium Telluride Evaporation Material，CdInTe）是一种由镉（Cd）、铟（In）与碲（Te）组成的多元Ⅱ–Ⅲ–Ⅵ族硫族化合物蒸发材料，主要用于真空蒸发与电子束蒸发（E-beam Evaporation）等 PVD 薄膜沉积工艺。CdInTe 兼具Ⅱ–Ⅵ族材料的良好光学吸收特性与铟引入带来的电学可调性，在红外光电、探测与功能半导体薄膜研究中具有明确定位。
在需要薄膜具备稳定化学计量、可调载流子特性及与 CdTe 体系良好兼容性的应用场景中，CdInTe 是一类以科研与高端功能薄膜为导向的专业蒸发材料选择。
碲化镉铟蒸发材料通常采用高纯镉、高纯铟与高纯碲为原料，通过真空合成或受控熔炼工艺制备形成稳定的 Cd–In–Te 化合物相，并严格控制氧、碳等杂质含量，确保材料纯度与蒸发过程中的成分一致性。
纯度等级：99.9%（3N）–99.99%（4N），适用于科研与高端薄膜沉积
材料体系：Cd–In–Te（多元碲化物，化学计量比可定制）
电学特性：通过 In 含量调节载流子浓度与导电类型
光学特性：对可见光与近红外波段具有良好吸收能力
成膜一致性：化合物蒸发有助于保持多元成分同步沉积，避免多源共蒸发偏析
供货形态：颗粒、块状、片状或定制形态，适配电子束坩埚、钼舟或钨舟
通过合理控制蒸发速率、基底温度与后处理工艺，可获得致密、均匀且性能可重复的 CdInTe 薄膜。
碲化镉铟蒸发材料在多个光电与功能薄膜领域具有典型应用，包括：
红外与光电探测材料：光吸收与电响应薄膜
Ⅱ–Ⅵ族半导体薄膜研究：CdTe 基体系的电学调控
功能半导体与能带工程：载流子输运与掺杂效应研究
异质结构与多层薄膜：与 CdTe、ZnTe 等材料组合
科研与实验室应用：相结构、缺陷与界面效应研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 材料体系 | Cd–In–Te（多元碲化物） | 决定光电与电学性能 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 影响薄膜缺陷与稳定性 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 片状 | 适配不同蒸发源 |
| 尺寸范围 | 定制 | 影响蒸发速率与均匀性 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 碲化镉铟（CdInTe） | 电学可调、体系兼容性好 | 光电与功能薄膜 |
| 碲化镉（CdTe） | 工艺成熟、吸收强 | 探测与光伏 |
| 碲化铟（InTe） | 电学特性独特 | 功能半导体研究 |
| 碲化锌镉（CdZnTe） | 宽应用基础 | 探测器材料 |
Q1：CdInTe 蒸发材料适合哪种沉积方式？
A：适用于热蒸发与电子束蒸发，尤其适合多元碲化物功能薄膜制备。
Q2：引入 In 的主要作用是什么？
A：用于调控载流子浓度与电学特性，扩展 CdTe 体系的功能性。
Q3：是否适合工业化量产？
A：目前主要用于科研与高端功能薄膜探索，工业应用仍在拓展中。
Q4：化学计量比可以定制吗？
A：可以，根据研究或器件需求定制 Cd/In/Te 比例。
Q5：膜层附着力如何？
A：在玻璃、Si、CdTe 等基底上可获得稳定附着。
Q6：是否可用于异质结构？
A：可以，常作为功能层或调控层参与多层结构设计。
Q7：蒸发过程中需要注意哪些事项？
A：建议使用高真空系统与稳定功率控制，以保证成分一致性。
Q8：科研中常见研究方向有哪些？
A：电学调控、缺陷工程、界面效应与光电响应研究。
所有碲化镉铟蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装方案，确保在运输与储存过程中保持材料纯度与成分稳定性。
碲化镉铟蒸发材料（CdInTe）凭借其可调电学特性、良好的光学吸收能力以及与 CdTe 体系的高度兼容性，在光电与功能半导体薄膜研究领域展现出重要价值。对于需要实现电学调控与稳定成膜表现的真空蒸发应用，CdInTe 是一类科研指向明确、工程可行性良好的专业蒸发材料选择。
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