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碲化锰（MnTe）是一类重要的过渡金属碲化物材料，兼具半导体特性与独特的反铁磁行为，在自旋电子学（spintronics）、红外探测、热电薄膜以及磁性半导体研究中具有广泛应用。MnTe 溅射靶材可在薄膜沉积过程中形成组成稳定、均匀致密的薄膜结构，是研究二维磁性材料、磁电耦合和功能薄膜的重要材料来源。
凭借良好的化学稳定性与较高致密度，MnTe 靶材常用于高端制造、新型器件开发和科研实验。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密度的 MnTe 溅射靶材，支持定制成分、尺寸与烧结工艺。
纯度：99.9%（3N）– 99.99%（4N）
尺寸：Φ25–300 mm 可定制
厚度：3–6 mm（可根据需求调整）
形状：圆形靶、矩形靶、特规形状
密度：接近理论密度，减少溅射颗粒
工艺：真空烧结、热压（HP）、CIP/HIP
背板选择：可提供 Cu / Ti 背板 + 铟焊（Indium Bonding）
成膜成分保持性优秀
膜层均匀性、致密性优良
适合低温与常规溅射条件
稳定性好，不易分解或氧化
MnTe 由于其磁性与半导体特性组合，在前沿材料研究领域表现突出：
自旋电子学（Spintronics）
MnTe 是典型反铁磁半导体材料，适用于自旋阀、磁阻器件、二维磁性研究。
红外探测与光电薄膜
MnTe 在红外波段具有良好吸收特性，可用于光探测薄膜。
磁性半导体（Magnetic Semiconductors）
用于新一代可调控磁性半导体器件。
热电薄膜
金属碲化物类薄膜具备潜力用于热电应用。
基础科研
用于反铁磁耦合机制、能带结构调控、量子材料研究等。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N – 4N | 纯度越高，薄膜缺陷越低 |
| 直径 | 25–300 mm | 兼容主流溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响沉积速率与温度管理 |
| 致密度 | ≥95% TD | 促进薄膜致密性与均匀性 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 提升散热性能与机械稳定性 |
| 材料 | 特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| MnTe | 反铁磁性 + 半导体特性 | 自旋电子学、红外探测 |
| MnSe | 带隙更大，光学特性突出 | 光学薄膜、红外器件 |
| FeTe | 铁基材料，磁性强 | 磁性薄膜、电子结构研究 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| MnTe 靶材适用于哪种溅射？ | RF 与 DC 磁控溅射均可使用。 |
| MnTe 是否易氧化？ | Mn 元素活性较高，建议在干燥环境保存，但短时曝光无影响。 |
| 可否定制 Mn:Te 比例？ | 可以，可根据研究需求调整成分配比。 |
| 薄膜成分是否易偏析？ | 使用高致密度靶材可大幅降低成分偏析风险。 |
| 能否制作带 Cu 背板？ | 可以，并提供专业铟焊。 |
| 是否可用于二维磁性材料研究？ | 是的，MnTe 是典型二维反铁磁体系材料。 |
| 是否与玻璃、Si、蓝宝石兼容？ | 兼容性良好，可形成附着性强的薄膜。 |
全程真空密封
干燥剂保护
防震泡沫与出口级木箱
附带唯一溯源码与质检报告（可含密度、ICP 成分分析）
碲化锰（MnTe）作为一种兼具磁性与半导体特性的功能材料，在自旋电子学、红外探测与先进薄膜工程中具有重要价值。苏州科跃材料科技有限公司可为您提供高纯度、高致密度、尺寸可定制的 MnTe 溅射靶材，为科研与产业化工艺提供可靠材料支持。
如需报价、技术参数或样品，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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