碲化锡靶材（SnTe）

产品简介（Introduction）

碲化锡（SnTe）是一种重要的 IV–VI 族窄带隙化合物半导体材料，具有优异的热电性能、红外光电响应能力，以及良好的薄膜沉积稳定性。在红外探测器、热电材料、拓扑绝缘体研究和先进薄膜器件制造中应用广泛。作为溅射靶材，SnTe 能在磁控溅射过程中形成成分均匀、晶相完整的半导体薄膜，满足科研与工业对高性能化合物薄膜的需求。

SnTe 靶材具有高纯度、高致密度以及良好的化学均匀性，可有效减少薄膜缺陷，提高红外吸收、导电特性和器件稳定性，是新型光电与热电器件制备中关键的复合材料之一。

产品详情（Detailed Description）

我们的 SnTe 溅射靶材采用高纯金属锡与高纯碲粉通过真空固相反应、冷等静压（CIP）、热压烧结（HP/HIP）等工艺制备而成，确保材料结构致密、晶相稳定，薄膜成分可控。

可提供规格：

• 纯度：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 尺寸范围：直径 25–300 mm，厚度 3–6 mm，亦可按客户图纸定制

• 密度：≥ 95% 理论密度，确保薄膜均匀性与稳定沉积

• 结合背板：可选 铜 / 钛 背板，支持铟焊或扩散焊，提高散热与结构稳定性

• 形状：圆形靶、矩形靶、阶梯靶、定制靶材均可提供

材料特性优势：

• 半导体特性稳定，适用于红外器件与热电薄膜

• 溅射速率稳定，薄膜成分易控制

• 表面平整、致密度高，有助于获得低缺陷率薄膜

• 良好的化学均匀性提升薄膜电学与光学一致性

应用领域（Applications）

SnTe 靶材广泛应用于以下薄膜与器件制造场景：

• 红外探测器薄膜（IR detectors）

• 热电薄膜材料（如 p 型热电元件）

• 拓扑绝缘体研究（Topological Insulators）

• 光电探测器（Photodetectors）

• 半导体薄膜器件

• 科研薄膜沉积实验（PVD、协同溅射、多层结构设计）

SnTe 在室温附近表现为半金属行为，带隙较窄，具有良好的红外吸收性能，是高性能红外薄膜的重要候选材料。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 SnTe 靶材在出厂前均经过外观、尺寸、密度、成分等严格检测，并贴附唯一可追溯编号。
包装采用：

• 真空密封铝箔袋

• 防震泡沫

• 出口级木箱

确保靶材在全球运输过程中保持完整与洁净。

结论（Conclusion）

碲化锡靶材（SnTe）凭借其窄带隙、优异红外响应、热电特性以及稳定的成膜特性，在红外器件、热电薄膜和前沿半导体研究中具有极高应用价值。适用于科研院所、半导体企业及光电材料开发厂家。

如需了解更多技术参数或获取正式报价，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com