碲化锗锑靶材（GeSbTe）

产品简介（Introduction）

碲化锗锑（GeSbTe，简称 GST）是一类具有快速相变特性的化合物，是 相变存储材料（PCM） 的核心体系，同时也广泛应用于光存储、热开关薄膜、可重构光子器件、红外调制以及新型计算架构（如忆阻器）中。

GeSbTe 具有 可逆相变、快速响应、高循环稳定性、光学对比度大、热稳定性好 等关键特性，是目前最成熟的相变功能材料之一。

GeSbTe 溅射靶材可通过磁控溅射沉积稳定的 GST 薄膜，用于科研与产业相变器件制备。

产品详情（Detailed Description）

GeSbTe 靶材常通过以下工艺生产：

• 高纯 Ge、Sb、Te 元素直接合成（Ampoule Sealed Reaction）

• 固相反应烧结（Solid-State Reaction）

• 真空热压烧结（Hot Pressing, HP）

• CIP 等静压成型 + 高温致密化（CIP + Densification）

典型规格：

• 纯度：99.9%–99.999%（3N–5N）

• 化学计量比（可选）：

  • GST225（Ge₂Sb₂Te₅）

  • GST124（Ge₁Sb₂Te₄）

  • GST326（Ge₃Sb₂Te₆）

  • 定制偏 Ge-rich / Sb-rich / Te-rich

• 外观：深灰至黑灰陶瓷质材料

• 致密度：≥97–99% TD

• 尺寸：Φ25–Φ300 mm（矩形靶可定制）

• 厚度：3–6 mm

• 背板：Cu / Ti / Mo / In bonding

靶材特点：

• 相组成稳定，不易偏析

• 高致密度、裂纹少、低颗粒溅射

• 化学计量均匀，适合量产薄膜工艺

• 兼容 RF、DC Pulsed 溅射

应用领域（Applications）

● 相变存储器（PCM / PRAM / OUM）

GeSbTe 是当前商用相变存储唯一成熟材料体系，用于：

• 相变随机存储器（PCRAM / PRAM）

• RRAM/PCM 混合型新存储

• 新型非易失存储器（NVM）

• 高耐久、低功耗逻辑-存储融合架构

GST 材料可在纳秒级完成 非晶 ↔ 晶体 相变。

● 光盘相变记录材料（Optical Media）

GST 是 DVD-RW、Blu-ray RE 的核心材料，用于：

• 光盘反射层

• 重写层（Rewrite Layer）

• 高对比度光存储膜层

具有优异的光学折射率与吸收率变化。

● 红外调制与光子器件（IR & Photonic Devices）

GST 在红外区具有显著折射率变化，可用于：

• 可重构红外光子器件

• 变焦红外透镜

• 快速开关薄膜

• 多层光子晶体结构

● 熔融开关与热调制材料（Thermal Switching Materials）

GeSbTe 的相变可由温度触发，用于：

• 热调制薄膜

• 功能热管理

• 可逆热敏器件

● 人工神经元与忆阻器件（Neuromorphic Computing）

GST 在类突触行为方面表现突出，用于：

• 神经形态存储

• 硬件加速 AI 芯片

• 多状态忆阻器（Multi-Level PCM）

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 防静电袋与泡棉双重保护

• 出口级木箱运输

• 附 ICP / XRD / 密度 / 外观检测报告

结论（Conclusion）

碲化锗锑靶材（GeSbTe）是当前相变技术体系中最重要的材料之一，在存储器、光存储、光子学和可重构电子器件中具有不可替代的优势。高纯度、高致密 GST 靶材可显著提升薄膜质量，是科研及量产应用的最佳选择。

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