碲化锌铟蒸发材料(ZnInTe)

碲化锌铟蒸发材料(Zinc Indium Telluride Evaporation Material,ZnInTe)是一种由锌(Zn)、铟(In)与碲(Te)组成的多元碲化物化合物蒸发材料,主要用于真空蒸发与电子束蒸发(E-beam Evaporation)等 PVD 薄膜沉积工艺。ZnInTe 属于Ⅱ–Ⅲ–Ⅵ 族化合物半导体体系,在带隙可调性、光电响应以及成分工程方面具有显著优势,是光电与半导体功能薄膜中的重要材料之一。

在需要薄膜具备稳定化学计量比、可调光学与电学性能的应用场景中,ZnInTe 是一类科研与应用并重、技术路径明确的蒸发材料选择。

产品详情(Detailed Description)

碲化锌铟蒸发材料通常采用高纯锌、高纯铟与高纯碲为原料,通过真空熔炼或化合物合成工艺制备形成稳定的多元碲化物相,并严格控制氧、碳等杂质含量,确保材料纯度与成分一致性。

  • 纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N),适用于科研及高端薄膜沉积

  • 材料体系:Zn–In–Te(三元碲化物,化学计量比可定制)

  • 光电特性:带隙与载流子特性可通过成分比例进行调控

  • 成膜一致性:化合物蒸发有利于保持薄膜成分稳定,降低多源共蒸发偏析风险

  • 供货形态:颗粒、块状、片状或定制形态,兼容钨舟、钼舟及电子束坩埚

通过合理的材料设计与沉积参数控制,可获得致密、均匀、性能可重复的 ZnInTe 薄膜。

应用领域(Applications)

碲化锌铟蒸发材料在多个光电与半导体薄膜领域中具有典型应用,包括:

  • 光电与光伏器件:光吸收层、功能半导体薄膜

  • 红外与可见光探测器:碲化物光电响应薄膜

  • 半导体薄膜沉积:功能化合物层、界面工程薄膜

  • 光学与显示技术:功能光学薄膜

  • 科研与实验室应用:多元碲化物能带结构与物性研究

技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
材料体系 Zn–In–Te(碲化物) 决定光学与电学特性
纯度 99.9% – 99.99% 影响薄膜缺陷与可靠性
形态 颗粒 / 块状 / 片状 适配不同蒸发源
尺寸范围 1 – 10 mm(颗粒)或定制 影响蒸发速率与均匀性
蒸发方式 热蒸发 / 电子束蒸发 兼容主流 PVD 系统

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要优势 典型应用
碲化锌铟蒸发材料(ZnInTe) 多元组分可调、光电性能灵活 光电与半导体薄膜
碲化锌(ZnTe) 工艺成熟 光电与显示薄膜
碲化铟(InTe) 载流子特性独特 半导体研究
碲化镉(CdTe) 高吸收系数 光伏与探测器

常见问题(FAQ)

Q1:ZnInTe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发和电子束蒸发,尤其适合多元碲化物薄膜制备。

Q2:ZnInTe 薄膜的主要优势是什么?
A:成分可调、光电性能灵活,适合光电与半导体功能薄膜。

Q3:化学计量比可以定制吗?
A:可以,可根据目标带隙或器件需求定制 Zn/In/Te 比例。

Q4:是否适合连续或批量蒸发?
A:适合,在合理工艺窗口下蒸发稳定、重复性良好。

Q5:与多源共蒸发相比有何优势?
A:化合物蒸发更有利于保持薄膜成分一致性。

Q6:膜层附着力如何?
A:对玻璃、硅及多种衬底具有良好附着性能。

Q7:是否可用于多层或异质结构?
A:可以,常与其他碲化物或金属层组合使用。

Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:多元碲化物能带调控、光电响应及界面效应研究。

包装与交付(Packaging)

所有碲化锌铟蒸发材料在出厂前均经过成分、尺寸与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封包装,配合防震缓冲材料与出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持高纯度与稳定性能。

结论(Conclusion)

碲化锌铟蒸发材料(ZnInTe)凭借其多元成分可调性、优良的光电性能以及成熟的化合物蒸发工艺表现,在光电与半导体功能薄膜领域展现出重要价值。对于需要稳定化学计量、可调带隙及高重复性沉积的真空蒸发应用,ZnInTe 是一种兼顾科研深度与工程潜力的蒸发材料选择。

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