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碲化锌蒸发材料通常采用高纯锌与高纯碲为原料,通过真空合成或受控熔炼工艺制备形成稳定的 Zn–Te 化合物相,并严格控制氧、碳等杂质含量,以确保材料纯度及蒸发过程中的成分一致性。
纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N),适用于科研及高端半导体薄膜沉积
材料体系:Zn–Te(Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体,近化学计量比 ZnTe)
能带特性:直接带隙材料,适合光电与发光相关应用
成膜优势:化合物蒸发有助于保持成分稳定,避免多源共蒸发偏析
供货形态:颗粒、块状、片状或定制形态,适配钼舟、钨舟及电子束坩埚
通过优化蒸发速率、基底温度及后续热处理条件,可获得致密、均匀且光学与电学性能稳定的 ZnTe 薄膜。
碲化锌蒸发材料在多个光电与半导体领域具有典型应用,包括:
光电与光学薄膜:可见光/近红外光学功能层
Ⅱ–Ⅵ族半导体器件:发光、探测与基础半导体研究
异质结构与窗口层:与 CdTe、CdZnTe 等材料配合使用
红外与可见光器件:光学调制与响应薄膜
科研与实验室应用:能带结构、界面与缺陷工程研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 材料体系 | Zn–Te(Ⅱ–Ⅵ族) | 决定光学与电学性能 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 影响薄膜缺陷与稳定性 |
| 晶体结构 | 闪锌矿结构 | 主流Ⅱ–Ⅵ族结构 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 片状 | 适配不同蒸发源 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 碲化锌蒸发材料(ZnTe) | 直接带隙、光学性能好 | 光电与光学薄膜 |
| 碲化镉(CdTe) | 吸收强 | 探测与光伏 |
| 硫化锌(ZnS) | 宽带隙 | 光学窗口层 |
| 碲化锌镉(CdZnTe) | 带隙可调 | 探测器材料 |
Q1:ZnTe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发和电子束蒸发,电子束蒸发有利于功率与速率的精确控制。
Q2:ZnTe 薄膜的主要优势是什么?
A:直接带隙、良好的光学透明性以及稳定的成膜表现。
Q3:是否适合光学器件应用?
A:是的,ZnTe 常用于可见光与近红外光学薄膜。
Q4:化学计量比可以定制吗?
A:可以,可根据器件设计需求定制 Zn/Te 比例。
Q5:是否适合工业化量产?
A:已广泛用于科研与部分器件应用,具备成熟的工程基础。
Q6:膜层附着力如何?
A:在玻璃、Si、CdTe 等基底上可获得稳定附着。
Q7:是否可用于多层或异质结构?
A:可以,常作为窗口层或功能中间层使用。
Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:光电响应、能带工程、界面调控与缺陷优化研究。
所有碲化锌蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲与出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持材料纯度与成分稳定性。
碲化锌蒸发材料(ZnTe)凭借其直接带隙特性、优异的光学性能以及成熟稳定的成膜表现,在光电器件与光学薄膜领域持续发挥重要作用。对于需要实现高质量Ⅱ–Ⅵ族半导体薄膜、稳定光学响应与可靠工艺重复性的真空蒸发应用,ZnTe 是一类技术路径清晰、科研与工程价值兼具的关键蒸发材料选择。
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