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碲化铟（InTe）是一种窄带隙半导体材料，具有优异的光电响应特性、良好的红外吸收能力和稳定的化学结构，在红外探测、光电器件、热电薄膜以及新型光电功能材料研究中发挥重要作用。作为溅射靶材，InTe 能形成高均匀度、低缺陷的薄膜层，适用于科研级薄膜制备和工业级功能涂层制造。
InTe 的层状晶体结构使其具备优异的载流子输运性能，在红外光电子学及低维材料研究中具有明显优势。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密度的碲化铟溅射靶材，适配国内外主流真空镀膜设备。
纯度：99.99%（4N）可定制至 5N
尺寸：Φ25–300 mm 圆形靶 / 长方靶均可定制
厚度：3–6 mm（可按需求生产）
致密度：≥95% 理论密度，减少颗粒与飞溅
成型工艺：真空熔炼 + 热压烧结（HP）、CIP/HIP
背板结合：铜（Cu）或钛（Ti）背板，可提供专业铟焊（Indium Bonding）
成膜成分稳定，可保持 In：Te 化学计量比
极低颗粒生成率，适用于高要求光电膜层
适应 DC/RF 溅射条件
薄膜致密度高，光电性能可控
碲化铟靶材在光电、半导体及功能薄膜领域有广泛应用：
红外探测器薄膜（IR Detectors）
InTe 具备红外吸收特性，适用于 1–5 μm 波段探测器。
光电器件与光敏薄膜
可用于光伏、光电二极管、光电转换层。
热电材料与能量转换
作为金属碲化物体系之一，在热电薄膜研究中表现良好。
低维与层状材料研究
InTe 是典型层状化合物，用于二维材料、量子材料研究。
基础科研与材料开发
研究载流子输运、带隙调控等光电与半导体特性。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 4N – 5N | 高纯度可降低缺陷与非化学计量成分 |
| 直径 | 25–300 mm | 兼容主流溅射设备腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射稳定性与热管理 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜致密度与均匀性 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 提高热导率与靶材寿命 |
| 材料 | 特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| InTe | 红外吸收强、载流子输运性能优良 | IR 探测、光电器件 |
| InSe | 带隙较大，适合光伏及二维光电子学 | 光电、半导体 |
| In₂Te₃ | 热电性能优异 | 热电涂层、能源材料 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| InTe 靶材是否适用于 RF 溅射？ | 是的，可用于 RF 和 DC 溅射。 |
| InTe 是否容易氧化？ | 短时间空气暴露影响不大，但建议长期储存时真空密封。 |
| 是否能定制特殊成分比例？ | 可以，根据研究需要调整 In:Te 化学计量关系。 |
| 成膜均匀性如何？ | 高致密靶材可确保优异的厚度均匀性。 |
| 是否提供背板铟焊？ | 提供专业 Indium Bonding，提高热稳定性。 |
| 可用于哪些基底？ | Si、玻璃、ITO、蓝宝石等常见基底均兼容。 |
| 光电性能是否可调？ | 可通过气氛调节、掺杂或共溅射实现。 |
真空密封
干燥剂保护
防震泡沫 & 出口级纸箱/木箱
质检报告（ICP、密度、尺寸检测等）
每片靶材均附唯一追溯编码
碲化铟靶材（InTe）以其优异的光电特性和稳定性，在红外探测、热电薄膜、光电器件以及先进光电研究领域中价值突出。苏州科跃材料科技有限公司为您提供高纯度、高致密度、可定制规格的 InTe 靶材，是科研与产业薄膜制程的可靠供应伙伴。
如需报价与技术咨询，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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