碲化铝靶材（AlTe）

产品简介（Introduction）

碲化铝（AlTe）是一种 III–VI 族化合物材料，结合了铝的轻量特性与碲化物优异的电学、光学性能。AlTe 具有适中的带隙、良好的载流子传输能力和化学稳定性，是一种在光电薄膜、半导体器件、新型材料研究等领域具有潜在价值的功能靶材。

高纯碲化铝溅射靶材在磁控溅射等薄膜沉积工艺中具有成膜均匀性好、溅射稳定、颗粒产生少等优势，适用于科研实验室与小批量制程设备。

产品详情（Detailed Description）

AlTe 靶材通常采用真空烧结（Vacuum Sintering）、热压烧结（HP）或热等静压（HIP）加工，以获得高致密度和均匀微观结构。

● 纯度范围： 99.9%–99.999%（3N–5N）
● 尺寸范围： 圆形靶 Ø25–Ø300 mm、矩形靶均可定制
● 厚度： 标准 3–6 mm，可按照设备需求调整
● 密度： ≥95% 理论密度
● 外观： 均匀细腻的灰黑色化合物结构
● 背板结合（可选）： 铜背板、钛背板、铟焊，提升散热与机械稳定性
● 加工工艺： 真空烧结 / 热压 / HIP，提高靶材结构完整性与成膜稳定性

高致密 AlTe 可有效降低针孔、裂纹、颗粒等缺陷，有助于提升膜层光电性能与界面结合强度。

应用领域（Applications）

碲化铝靶材在多个新兴及传统光电子领域具有潜在应用：

● 半导体薄膜

• 用作电子元件中的缓冲层、界面层或阻挡层

• 可设计能带结构用于电学调控

● 光学与光电薄膜

• 红外吸收膜

• 光学调制薄膜

• 光敏材料与薄膜传感层

● 功能复合薄膜

• 可与 Al、Te、GaTe、AlGaTe 等材料共溅射

• 用于新型光电器件结构探索

● 科研用途

• 薄膜特性研究（电导率、能带调控、光学吸收）

• 材料物性与新型化合物研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 AlTe 靶材均经过密度、纯度、尺寸与外观检测，并附有唯一可追踪编号。
包装方式包含：

• 真空密封袋

• 防震泡沫

• 出口级木箱保护

确保运输过程中靶材不受污染或机械损伤。

结论（Conclusion）

碲化铝靶材（AlTe）凭借其轻质、稳定、可调控的光电特性，适用于多种光电薄膜与半导体应用。其高纯度与高致密度工艺确保稳定的沉积行为与一致的薄膜质量，是科研与先进制造中的可靠材料选择。

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