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碲化铋锑靶材（BiSbTe）是一类典型的热电功能材料靶材，在高性能热电薄膜、微能量采集器件、精密制冷组件及半导体器件中具有广泛应用。该材料以高塞贝克系数、低热导率和稳定电输运特性见长，在薄膜沉积中能形成致密、均匀、具有优良热电性能的薄膜层。
作为科研与工业中关键的溅射靶材，BiSbTe 在新型能量转换器件与功能薄膜设计中具有重要作用。
● 纯度范围： 99.9%–99.999%
● 尺寸规格： Ø25–300 mm，可按溅射目标尺寸定制
● 厚度： 3–6 mm（可根据需求调整）
● 密度： ≥ 95% 理论密度
● 成分比（可定制）：
Bi₂Te₃
Sb₂Te₃
Bi₀.₅Sb₁.₅Te₃
其他实验级配比
● 工艺路线： 真空热压烧结、CIP/HIP 致密化工艺
● 背板可选： Cu / Ti / 铟焊结构（用于提升散热与机械稳定性）
高致密度 BiSbTe 靶材有助于减少成膜颗粒、提升薄膜均匀性，并增强热电薄膜的功率因数与整体稳定性，是制备高性能热电薄膜的理想选择。
● 热电能量转换薄膜（Thermoelectric Thin Films）
用于制备 p 型 / n 型热电功能层。
● 微型能量采集与器件封装
适用于微能源管理模块、MEMS 器件。
● 半导体器件功能层
用于红外探测器、敏感元件、温差电传感器。
● 科研实验与材料工程
用于晶体结构优化、薄膜热电测量、异质结结构研究等。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 高纯度减少薄膜缺陷 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配主流溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶材寿命与沉积速率 |
| 密度 | ≥95% 理论密度 | 提升膜层致密度与均匀性 |
| 成分比 | 可定制 | 实现 p / n 型调控 |
| 背板结合 | 铜 / 钛 / 铟焊 | 提升散热能力与机械平整度 |
| 材料 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|
| BiSbTe | 高 ZT 热电系数 | 低温热电转换薄膜 |
| Bi₂Te₃ | n 型性能优异 | 热电发电应用 |
| Sb₂Te₃ | p 型特性良好 | 热电制冷、存储材料 |
| PbTe | 高温热电材料 | 高温能量回收系统 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 可用于哪些溅射方式？ | 兼容 DC / RF 磁控溅射。 |
| 是否可共溅射？ | 可以，与 PbTe、Bi₂Te₃、Se 等材料共溅射调控性能。 |
| 是否能制备 p 型或 n 型薄膜？ | 通过调整 Bi:Sb:Te 比例即可实现。 |
| 薄膜颗粒如何降低？ | 选择高致密靶材并配合合适的溅射功率与气压。 |
| 对基底温度敏感吗？ | 一般可在低温沉积，对聚合物基底友好。 |
| 是否需要背板？ | 建议使用 Cu 或 Ti 背板提升散热。 |
| 会氧化吗？ | 材料稳定，建议干燥密封保存。 |
| 可否提供特别配方？ | 可以按科研项目定制配比与参数。 |
| 支持哪些基底？ | Si、玻璃、Al₂O₃、ITO、聚合物均可。 |
| 是否适合柔性电子？ | 合适，通过优化工艺可提升附着力与柔韧性。 |
● 全部靶材出厂前均进行外观、密度、纯度与尺寸检测
● 使用 真空密封 + 防震材料 + 出口木箱 进行包装
确保运输过程中无污染、无破损。
碲化铋锑靶材（BiSbTe）是热电薄膜领域的核心材料，在微能源系统、半导体器件以及科研实验中应用广泛。我司可提供高纯度、高致密度、定制成分比例的 BiSbTe 靶材，以满足不同实验和产业化需求。
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