碲化铅靶材（PbTe）

产品简介（Introduction）

碲化铅（PbTe）是一种具有窄带隙特性的 IV-VI 族半导体材料，以其优异的热电性能、高载流子迁移率和可调控能带结构而被广泛用于红外探测、热电材料、光电器件以及功能薄膜制备中。作为一种重要的功能化合物，PbTe 在薄膜沉积应用中表现出优异的成膜均匀性、良好的界面结合力和稳定的电光特性。

高纯度碲化铅靶材是制备 PbTe 薄膜的关键材料，其高致密度结构可显著降低颗粒与点缺陷，提高薄膜的电学与光学性能，是科研实验和产业应用中的核心沉积材料。

产品详情（Detailed Description）

PbTe 靶材通常通过真空热压、热等静压（HIP）、CIP 冷等静压等工艺进行制备，以确保高致密度和优异的结构稳定性。

● 纯度： 99.9% – 99.999%（3N–5N）
● 尺寸范围： Ø25–Ø300 mm 或矩形靶可按需定制
● 厚度： 常规 3–6 mm，可根据沉积设备要求调整
● 密度： ≥95% 理论密度
● 微结构： 均匀细晶结构，稳定溅射速率，低颗粒产生
● 背板结合： 可选铜背板（Cu）、钛背板（Ti）或铟焊接（In bonding），用于改善散热与降低热应力开裂风险

高致密 PbTe 溅射靶材在 PVD 工艺中能够提供稳定的溅射速率、优异的膜层重复性以及良好的薄膜电学与热电性能。

应用领域（Applications）

碲化铅靶材在以下领域具有广泛应用价值：

● 红外探测与光电器件

• PbTe 是中红外区的重要光电材料

• 可用于制备光电探测器、调制器、量子结构薄膜等

● 热电材料研究

• PbTe 是经典高性能热电材料，常用于薄膜热电器件研究

• 高 ZT 值使其在能源转换领域具有重要意义

● 半导体薄膜沉积

• 可作为界面层、吸收层、电极层使用

• 适用于能带工程与电学特性调控研究

● 功能薄膜与多层结构

• 可与 SnTe、GeTe、PbSe、Bi₂Te₃ 等材料共溅射

• 用于制备拓扑材料、相变薄膜与复合结构

● 科研实验

• 电子输运、热输运、红外响应特性研究

• 超晶格与多层结构的精细调控

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 PbTe 靶材均在洁净环境下生产、检测与包装，并附带唯一可追踪编号。
包装包括：

• 真空密封袋

• 防震泡沫保护层

• 出口级木箱包装

确保在运输中避免潮气、氧化及机械损伤。

结论（Conclusion）

碲化铅靶材（PbTe）凭借其独特的热电与光电性能，已成为红外探测、热电材料与先进功能薄膜研究中的关键材料。高纯度、高致密度的 PbTe 靶材能够显著提高薄膜质量与器件稳定性，是科研与产业应用中的可靠选择。

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