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碲化钨靶材（WTe）属于过渡金属碲化物材料体系，以其独特的拓扑特性、高载流子迁移率以及优异的光电响应而受到高度关注。WTe 材料常用于制备新型光电器件、红外探测器、拓扑半金属薄膜，以及先进二维材料（如 WTe₂）研究中的前驱薄膜。
WTe 靶材具备良好的成膜稳定性，可在磁控溅射中获得高质量、致密均匀的薄膜，是科研机构、半导体实验室和先进光电材料开发的重要化合物靶材。
● 纯度范围： 99.9% – 99.999%
● 尺寸范围： Ø25–300 mm，可按腔体尺寸定制
● 厚度： 2–6 mm（支持定制）
● 相组成： WTe、WTe₂、WTe₃ 可提供不同相态靶材
● 致密度： ≥ 95% 理论密度
● 制造工艺： 真空热压烧结 / CIP / HIP 致密化工艺
● 可选结构： 倒角、镜面加工、低颗粒处理
● 背板结合： 可选择铜 / 钛 / 铟焊结构，提高散热效率并减少靶材翘曲
WTe 在薄膜沉积中具有良好的溅射稳定性，可获得结构连续、晶相可控的薄膜，尤其适用于制备二维材料和拓扑材料体系。
● 二维材料薄膜（2D Materials）
如 WTe₂，具有优异的电子结构与非平庸拓扑特性。
● 光电探测与红外成像（IR Photodetectors）
用于中红外敏感薄膜，具有高响应度与低噪声优势。
● 拓扑半金属器件（Topological Semimetals）
研究极高载流子迁移率、非线性霍尔效应等特性。
● 薄膜晶体管（TFT）
WTe₂ 可作为沟道材料用于新型柔性电子器件。
● 科研探索
适用于能带调控、界面工程、多层异质结结构研究。
| 参数 | 数值范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 提升薄膜一致性与电性能 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 兼容主流 DC/RF 磁控溅射设备 |
| 厚度 | 2–6 mm | 可根据功率需求定制 |
| 致密度 | ≥95% | 可减少颗粒、提高薄膜致密性 |
| 相态 | WTe、WTe₂、WTe₃ | 根据器件需求选择 |
| 背板 | Cu/Ti/In Bonding | 改善散热与机械稳定性 |
| 材料 | 优势 | 应用领域 |
|---|---|---|
| WTe | 拓扑特性、光电性能优异 | 红外探测、拓扑材料研究 |
| WTe₂ | 二维材料重要成员 | 场效应晶体管、柔性电子 |
| MoTe₂ | 更大带隙，可调性好 | 光电探测、晶体管 |
| WSe₂ | 高迁移率、稳定性强 | 光电器件、传感薄膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| WTe 靶材适合哪种溅射模式？ | 兼容 RF 和 DC，但复杂化合物建议使用 RF。 |
| 会不会发生成分分离？ | 采用高致密靶材和均匀工艺可避免分离与颗粒。 |
| 能否制备二维材料？ | 可以，许多实验通过溅射 + 退火形成 WTe₂。 |
| 是否稳定？ | 相对稳定，但建议干燥密封保存。 |
| 可否小尺寸定制？ | 可以，支持 ≤1 英寸小靶材样品。 |
| 背板有哪些优势？ | 提高散热、防止弯曲、改善溅射均匀性。 |
| 是否可用于柔性电子？ | WTe₂ 薄膜非常适合柔性光电器件。 |
| 沉积后薄膜如何调控相态？ | 可通过退火温度和气氛控制晶相组成。 |
| 能否提供多相比例靶材？ | 可以支持科研定制配方。 |
● 真空密封包装
● 防静电袋 + 防震泡棉保护
● 出口级木箱运输
所有靶材均附带检测报告与批次追踪标签。
碲化钨靶材（WTe）以其卓越的拓扑特性、光电性能和二维材料潜力，在先进半导体、光电探测及基础科研领域具有重要价值。我司可根据需求提供多相态、多配比和高纯度定制服务，确保满足科研与产业化应用。
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