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硼化镧(LaB)是一类稀土—硼系陶瓷化合物,常见形式为 LaB₆,具有极低的电子逸出功、高熔点、优异的热稳定性和化学稳定性,被广泛用于电子束阴极、热电子发射材料、高温涂层及功能薄膜应用。在磁控溅射沉积过程中,LaB 溅射靶材能够提供稳定的放电特性,并形成致密、均匀的功能薄膜,是材料研究与电子器件制备中的关键高性能靶材。
由于其优异的电子发射能力和抗腐蚀性能,LaB 在真空电子学、高端涂层及新材料研究领域具有不可替代的作用。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密LaB溅射靶材,满足实验室研究与工业化量产需求。
纯度:99.5%–99.9%(3N)
典型组成为:LaB₆(可提供其他成分比)
尺寸范围:直径 Φ25–300 mm
厚度范围:3–6 mm(可根据设备定制)
形状选项:圆形靶、矩形靶、阶梯靶等
制造工艺:热压(HP)、热等静压(HIP)、真空烧结
致密度:≥95% 理论密度,溅射稳定性极佳
背板结合:可选 Cu / Ti 背板 + 铟焊(Indium Bonding)
高热稳定性与高熔点(>2200°C)
低电子逸出功,常用于电子发射薄膜
硬度高、耐腐蚀性强
低蒸气压,适合高真空环境
成膜均匀性优良,稳定性强
硼化镧靶材在多个高端领域中发挥关键作用:
电子束阴极(E-beam cathodes)
LaB₆ 是经典的热电子材料,用于电子束蒸发源、显微镜电子枪等。
高温与耐腐蚀涂层
用于真空系统、高温部件、耐腐蚀薄膜。
光学与电子薄膜
包括吸收层、导电层、功能陶瓷薄膜。
新材料研发(Advanced Materials Research)
包括稀土硼化物体系、低维材料、界面功能膜研究。
高功率器件与真空电子器件
用于栅极、发射极等关键结构。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.5%–99.9% | 纯度越高,薄膜缺陷越少 |
| 直径 | Φ25–300 mm | 适配主流溅射靶架 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射功率承载能力 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜致密性 |
| 电阻率 | 极低 | 适用于导电薄膜与电子发射用途 |
| 背板结合 | Cu / Ti / 铟焊 | 强化散热,提高使用寿命 |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| LaB(LaB₆) | 低逸出功、高温稳定 | 热电子发射、E-beam 涂层 |
| CeB₆ | 类似 LaB₆,发射性能略不同 | 真空电子器件 |
| TiB₂ | 高硬度、导电陶瓷 | 防护膜、耐磨工程薄膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| LaB 靶材能用于 RF 与 DC 溅射吗? | 是的,两者均兼容。 |
| LaB 是否易氧化? | 高温下有一定敏感性,但常温短时间暴露无影响。 |
| 能否提供 LaB₆ 以外的比例? | 可以定制不同 La:B 化学计量比。 |
| 是否适合长时间高功率溅射? | 高致密 LaB 具有出色的耐热性,非常适合高功率应用。 |
| 是否可提供背板铟焊? | 可提供 Cu/Ti 背板 + 铟焊服务。 |
| 能否用于电子束蒸发源? | LaB₆ 是电子束阴极材料的优选之一。 |
| 是否可提供 ICP 检测报告? | 可按需提供 ICP、密度、尺寸检测数据。 |
真空密封包装
干燥剂防潮处理
防震泡沫 + 出口级硬纸箱/木箱
每片靶材附唯一溯源码与质检记录
硼化镧靶材(LaB)凭借高熔点、低逸出功、优异稳定性和优良电子发射性能,是先进真空电子学、光电子薄膜、耐高温领域的重要功能材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制的 LaB 溅射靶材,为科研与产业薄膜制备提供可靠材料支持。
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