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硫化镍(NiS)是一种重要的过渡金属硫化物材料,具有优异的电化学活性、稳定的化学结构以及良好的光学与电学特性。作为一种具有半导体行为和金属性综合特质的功能性材料,NiS 在能源材料、光电器件、催化薄膜和新型电子结构中被广泛研究。
硫化镍靶材(NiS Sputtering Target)可通过磁控溅射沉积形成致密均匀的 NiS 薄膜,应用于传感器、光吸收层、能量转换装置、储能器件以及多层复合功能薄膜,是科研与工业薄膜制备的重要材料。
硫化镍靶材一般采用以下工艺制备:
固相反应烧结(SSR)
真空烧结(Vacuum Sintering)
热压烧结(Hot Pressing,HP)
冷等静压(CIP)+ 高温固相反应
典型产品参数:
纯度:99.9%(3N)
化学组成:Ni:S≈1:1,可根据相结构提供 NiS、NiS₁₊ₓ 等不同相型
晶体结构:六方 NiS(低温)、金属相 NiS(高温)
致密度:≥95% 理论密度
颜色:灰黑色
尺寸:直径 25–300 mm 或矩形靶材
厚度:3–6 mm,可按设备需求定制
背板结合(可选):Cu、Ti 或 Indium bonding
性能特点:
高化学稳定性
导电性可调
良好的薄膜成核性
高致密度带来更低颗粒率
可用于 RF、DC 和脉冲 DC 溅射
NiS 作为重要的过渡金属硫化物,常用于:
电池电极薄膜(超级电容器、Li-S、Na-ion)
催化薄膜(如 HER/氧化还原反应薄膜)
储能与能量转换系统
其良好的电子/离子传导性适用于高比容量与高活性薄膜结构。
NiS 薄膜可用于:
太阳能电池吸收层
近红外吸收材料
光探测器
可调光电子结构
其强吸光性与可调带隙使其成为光电结构的重要材料。
NiS 对某些气体具有较强反应性与电阻变化特性,可用于:
气敏薄膜
化学检测薄膜
环境监测器件
作为镍基功能膜,NiS 可应用于:
金属化层或界面层
电学调控结构
多层堆叠薄膜功能结构
适用于:
过渡金属硫化物体系研究
薄膜电化学行为研究
界面工程与多物理耦合研究
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% | 高纯度减少缺陷 |
| 组成 | NiS(可调 Ni-rich / S-rich) | 支持科研定制 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜致密度与溅射稳定性 |
| 直径 | 25–300 mm | 兼容主流溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶材寿命与沉积速率 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In | 提升散热能力与结构稳定性 |
| 工艺 | SSR / HP / CIP | 决定靶材微结构与薄膜品质 |
| 溅射方式 | RF / DC / Pulsed DC | 陶瓷类材料推荐 RF |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| NiS | 高电活性、可调导电性 | 能源薄膜、光电、传感器 |
| NiO | 绝缘氧化物 | TFT、透明电极、催化 |
| NiSe₂ | 高导电性 | 电催化、电极材料 |
| MoS₂ | 层状 2D 材料 | 光电、纳米器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| NiS 靶材适用于哪些溅射系统? | RF、DC(带缓冲层)、脉冲 DC 均可使用。 |
| 是否可定制不同相型(如 NiS、NiS₁₊ₓ)? | 可以,根据研究需求提供不同组成与相结构。 |
| 是否需要背板结合? | 建议 Cu 或 Ti 背板以提升散热性能。 |
| NiS 薄膜是否导电? | 具有半导体行为,导电性可通过组成与工艺调控。 |
| 是否支持 8 英寸或 12 英寸? | 完全支持,可用于中试或产业线。 |
| NiS 靶材是否易开裂? | 高致密 HP/HIP 工艺靶材可显著提升机械稳定性。 |
| 是否可提供 PLD 靶材? | 可以提供 PLD、MBE 专用靶材。 |
真空密封、防氧化铝塑袋
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每片靶材附质量检测报告与唯一追踪编号
确保运输过程中的完整性与靶材洁净度。
硫化镍靶材(NiS)是一种兼具半导体、电化学活性与光学吸收特性的关键功能薄膜材料,广泛用于能源、光电、传感器与多层结构研究。高纯度、高致密度的 NiS 靶材能够显著提升薄膜性能,是科研与工程应用中不可或缺的材料选择。
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