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硫化镁（MgS）是一种典型的 II–VI 族化合物半导体材料，具有宽带隙、高透光性、优良的热稳定性，与良好的电子传输特性。MgS 在深紫外发光器件（DUV LEDs）、光电探测器、介质薄膜、窗口层材料以及功能陶瓷涂层领域中越来越受到关注。
作为溅射靶材，MgS 可用于磁控溅射沉积透明、高绝缘性、高质量晶体薄膜，是先进光学、光电与半导体技术中的重要基础材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密的 MgS 溅射靶材，支持科研与量产级应用，兼容多种真空镀膜设备。
纯度：99.9%（3N）– 99.999%（5N）
尺寸：Φ25–300 mm 可完全定制
厚度：3–6 mm（可根据设备调整）
形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、异形靶材
加工工艺：真空烧结、热压（HP）、CIP/HIP
致密度：≥95% 理论密度
背板结合：可提供 Cu / Ti 背板 + 铟焊（Indium Bonding）
宽带隙（≈4.0–5.0 eV），适合深紫外领域
高绝缘性、低介电损耗
薄膜具有优良透光性
热稳定性好，不易分解
适用于多层介质膜与光学干涉结构
MgS 溅射靶材广泛用于以下领域：
由于 MgS 具有宽禁带，可用于 200–300 nm 区域的紫外光电器件。
MgS 薄膜在可见光–紫外区均有良好透射率。
作为功能层或界面层提升光响应性能。
适用于电容器结构、绝缘层与多层光学膜。
可与 MgO、ZnS、Al₂O₃、SiO₂ 等组合构成高性能光学膜系。
用于 II–VI 族化合物体系、薄膜晶体学和能带结构研究。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 备注 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 高纯度减少薄膜缺陷 |
| 尺寸 | Φ25–300 mm | 适配主流靶材夹具 |
| 厚度 | 3–6 mm | 调整沉积速度与稳定性 |
| 致密度 | ≥95% TD | 获得致密、均匀薄膜 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 提升散热与使用寿命 |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| MgS | 宽禁带、高透光、绝缘性强 | DUV、介质薄膜 |
| MgO | 介电常数高、结构稳定 | 光学膜、电绝缘层 |
| ZnS | 高折射率，可见光透射优良 | 多层光学膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| MgS 适用于 RF 溅射吗？ | 是的，MgS 多用于 RF 磁控溅射。 |
| 是否易吸湿？ | 是，建议长期真空密封保存；短时间操作无影响。 |
| MgS 薄膜可否用于深紫外应用？ | 可以，MgS 宽带隙特性适合 DUV 器件。 |
| 是否能提供不同 Mg:S 比例？ | 可按需求定制化学计量比。 |
| 是否兼容玻璃、Si、蓝宝石等基底？ | 是的，兼容性良好。 |
| 可否提供 ICP 成分分析报告？ | 可以按要求提供。 |
全程真空密封
配置干燥剂避免吸湿
防震泡沫与加固箱体
每片靶材附唯一批次编号与质检报告
硫化镁（MgS）凭借宽带隙、高透光性及优良绝缘性能，是深紫外光源、光学镀膜和先进光电器件中的关键材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、高稳定性的 MgS 溅射靶材，满足科研与产业化制程需求。
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📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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