硫化锗靶材（GeS）

产品简介（Introduction）

硫化锗（GeS）是一种典型的 IV–VI 族层状半导体材料，具有可调能带结构、优异的光电响应、高吸光系数、显著的各向异性以及稳定的化学性质。其二维结构与黑磷类似，但具有更高的环境稳定性，因而近年来在光电器件、场效应晶体管、红外探测、非线性光学及柔性电子中备受关注。

作为溅射靶材，GeS 能沉积成分均匀、致密性高、晶体质量良好的薄膜，是科研院所、材料实验室及半导体开发企业制备 GeS 及相关异质结构的重要原料。

产品详情（Detailed Description）

苏州科跃材料科技有限公司生产的 GeS 靶材采用高纯锗粉与硫粉，通过严格计量反应、冷等静压（CIP）、固相反应烧结、热压（HP/HIP）及精密研磨工艺制备，确保靶材具备高密度、低杂质、高结构完整性与优异溅射稳定性。

可提供规格

• 纯度：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 尺寸：圆靶 Ø25–300 mm，方靶根据需求定制

• 厚度：3–10 mm

• 密度：≥ 95% 理论密度

• 工艺路线：CIP → 真空固相反应 → HP/HIP → 精加工

• 背板选择：Cu / Ti 背板，可铟焊（Indium bonding）或扩散焊

• 可定制化学计量比：GeS、GeS₁₊ₓ、Ge₂S₃ 等

性能优势

• 高纯度确保光电薄膜性能稳定

• 高致密度结构减少溅射颗粒与靶材崩边

• 成分均匀，适用于成膜参数敏感型应用

• 对二维材料研究尤其友好，可用于 GeS 超薄片制备

• 长时间溅射保持良好稳定性

应用领域（Applications）

1. 新型光电器件（Optoelectronics）

GeS 具有宽带隙与高吸收系数，可用于：

• 宽谱光电探测器（Visible–NIR）

• 光敏开关

• 光电二极管

2. 二维材料研究（2D Materials）

GeS 与 GeSe、SnS、MoS₂ 等二维材料可构建异质结构，用于：

• 场效应晶体管（FET）

• 低维电子器件

• 固态光子学

3. 功能光学薄膜

可作为：

• 吸收层

• 阻挡层

• 电荷传输层

4. 非线性光学（Nonlinear Optics）

GeS 的晶体各向异性赋予其强烈的非线性响应，用于：

• 激光调制

• 光学频率转换

5. 热电材料与红外器件

Ge–S 系材料具有潜在热电性能，可用于：

• 微热电转换器

• 中红外吸收器件

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封包装防止吸湿

• 内置防震缓冲结构

• 外层出口级木箱保护

• 每片靶材均附带 ICP 杂质分析、密度测试与尺寸检验报告

确保运输过程中的安全、洁净与可追溯性。

结论（Conclusion）

硫化锗靶材（GeS）因其优异的光电性能、二维材料潜力与良好的化学稳定性，在光电器件、红外探测、非线性光学和先进半导体研究中占据重要地位。苏州科跃材料可提供高纯度、高致密度、多规格的 GeS 靶材，满足科研实验与产业化薄膜制备的需求。

如需报价、技术数据或样品，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com