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硫化铟（InS）是一类 III–VI 族化合物半导体材料，具有可调带隙、优异的光电性能以及良好的化学稳定性。其薄膜在光伏、光电探测、红外器件、场效应晶体管（FET）、二维材料研究以及多层异质结结构中具有重要应用价值。
作为溅射靶材，InS 能够沉积出均匀致密、光学性能稳定的薄膜，并可通过后续退火改善晶体质量，是研究型与产业化薄膜工艺中的关键材料之一。
● 纯度： 99.9% – 99.999%
● 可制造相态： InS、In₂S₃（根据工艺需求选择）
● 尺寸范围： Ø25–300 mm（支持方形、矩形等定制）
● 厚度： 2–6 mm 或按要求指定
● 致密度： ≥ 95% 理论密度
● 制造工艺：
– 真空热压烧结（Hot Pressing）
– 冷等静压（CIP）
– 热等静压（HIP）
– 表面精磨 / 抛光、倒角
● 背板结合： Cu / Ti / In-Bonding（铟焊散热）
● 外观： 深灰—黑色陶瓷质感
● 适用沉积方法： RF / DC 磁控溅射、离子束溅射、PVD 多腔薄膜设备
高致密 InS 靶材可有效减少粉化与颗粒生成，确保薄膜生长均匀稳定。
● 光伏与薄膜太阳能电池（Photovoltaics）
可作为多元化合物吸收层（如 CIS / CIGS）的前驱体材料。
● 光电探测器（Photodetectors）
InS 薄膜对可见光至近红外波段具有良好响应。
● 红外光学器件（IR Optics）
用于长波段红外窗口、滤光片等光学组件。
● 二维材料（2D Materials）研究
InS 可通过溅射+退火形成层状结构，与 InSe、GaS、MoS₂ 等构建异质结。
● 场效应晶体管（FET）
InS 薄膜具备可观迁移率，可用于沟道材料。
● 柔性电子（Flexible Electronics）
低温沉积适配 PI、PET、薄玻璃等柔性基底。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 高纯度有助于降低薄膜缺陷 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 覆盖科研到产业化设备需求 |
| 厚度 | 2–6 mm | 可按设备腔体调整 |
| 致密度 | ≥95% | 减少颗粒、提高稳定性 |
| 成分比 | InS / In₂S₃ | 可定制偏 In 或偏 S 成分 |
| 背板 | Cu / Ti / In bonding | 提升散热能力，防止靶材翘曲 |
| 材料 | 特性 | 应用 |
|---|---|---|
| InS | 可调带隙、良好光吸收 | 光伏 / 光电探测 |
| In₂S₃ | 稳定性更好、适合光伏层结构 | 薄膜电池、光学薄膜 |
| InSe | 高电子迁移率 | FET、2D 器件 |
| GaS / GaSe | 光学性能出色 | 光电器件与传感器 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| InS 靶材适合 RF 还是 DC 溅射？ | 建议 RF，以减少成分偏析与粉化。 |
| 溅射的薄膜需要退火吗？ | 建议进行退火以提升晶体结构。 |
| 是否容易吸潮？ | InS 相对稳定，但建议真空密封保存。 |
| 能否提供小尺寸样品？ | 可提供 ≤1 英寸科研靶材。 |
| 背板是否必要？ | 推荐使用 Cu 或 Ti 背板以提升散热能力。 |
| 是否支持 In-rich 或 S-rich 配比？ | 可根据研究要求完全定制化学计量。 |
| 能否用于二维材料制备？ | 可以，通过退火可形成层状 InS 结构。 |
● 单片真空密封包装
● 防静电袋 & 防震泡棉
● 出口级木箱
● 每片靶材附带纯度检测报告、密度检测与 batch 追溯二维码
硫化铟靶材（InS）以其可调光电性能、良好化学稳定性和广泛应用潜力，是当前光伏、光电探测和二维材料研究的重要材料之一。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、尺寸可定制的 InS 系列靶材，为科研和量产工艺提供可靠支持。
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