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硫化铕(EuS)是一种典型的二元稀土硫化物,具有岩盐结构和独特的磁性半导体特性。EuS 在低温下表现出铁磁性(居里温度约 16.6 K),同时具有可调带隙、优异的光学与磁光效应,因此成为量子材料、自旋电子学、红外光学和稀土薄膜研究中的核心材料。
硫化铕靶材(EuS Sputtering Target)可在真空镀膜技术中形成高致密度、低缺陷的 EuS 薄膜,广泛用于磁光器件、量子自旋结构、低温探测设备及新型光电结构研究。
硫化铕靶材常采用 真空烧结(VS)、热压烧结(HP) 或 冷等静压(CIP)+ 气氛烧结 工艺制备,以确保材料的高纯度、相稳定性和高致密度。
典型参数:
化学组成:EuS
纯度:99.9%(3N)– 99.99%(4N)
晶体结构:岩盐结构 (NaCl 型)
致密度:≥ 92%–98% TD(工艺可调)
尺寸规格:直径 25–300 mm,可定制矩形靶材
厚度:3–6 mm
溅射兼容性:DC、RF、脉冲 DC
结合方式:铜背板(Cu)、钛背板(Ti)、铟焊(In bonding)
工艺优势:
低氧含量、低杂质,确保薄膜质量
烧结过程保证相组成稳定,不易分解
高致密度靶材减少颗粒生成,提高膜层均匀性
适合低温与磁性相关薄膜的精密制备
EuS 是极具代表性的磁性半导体之一,可用于:
自旋过滤层(Spin Filter)
自旋极化电子注入结构
磁性隧穿结(MTJ)
量子霍尔效应研究
其磁性与半导体性质的耦合使其成为研究磁电相互作用的理想材料。
EuS 常与:
Bi₂Se₃
Bi₂Te₃
InAs
其他拓扑绝缘体
组合沉积,用于构建磁性拓扑异质结构,探索量子反常霍尔效应(QAHE)、马约拉纳费米子(Majorana modes)等前沿物理现象。
EuS 具有:
强磁光克尔效应(MOKE)
红外吸收特性
稀土化合物特有的能级结构
适用于:
磁光调制器
红外探测器
非线性光学薄膜
由于在低温下具有铁磁行为,EuS 用于:
低温磁阻薄膜
超导-磁性复合结构
低温量子传感器
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 高纯度减少缺陷,提高磁性与光学稳定性 |
| 成分 | EuS | 稀土硫化物结构稳定 |
| 致密度 | ≥92%–98% TD | 致密度越高,薄膜颗粒越少 |
| 直径 | 25–300 mm | 兼容主流溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶材寿命和沉积速率 |
| 背板 | Cu / Ti / In | 提升散热性能,防止翘曲 |
| 工艺 | VS / HP / CIP | 决定相纯度与稳定性 |
| 材料 | 主要优势 | 应用场景 |
|---|---|---|
| EuS | 磁性半导体、低温铁磁性 | 自旋过滤、量子材料、磁光薄膜 |
| EuO | 更高居里温度 | 磁性半导体器件 |
| Bi₂Se₃ | 典型拓扑绝缘体 | 拓扑量子器件 |
| GdN | 宽带隙磁性氮化物 | 磁性光电结构 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| EuS 靶材适合哪种溅射方式? | RF、DC、脉冲 DC 均可,常用于 RF。 |
| EuS 薄膜是否具备磁性? | 是,在低温下呈铁磁性。 |
| 能否用于拓扑材料薄膜? | 非常适合,可与 Bi₂Se₃、Bi₂Te₃ 等共溅射或层叠。 |
| 是否需要背板结合? | 推荐使用 Cu 背板以减少开裂与变形。 |
| 低温性能是否受杂质影响? | 是,纯度和氧含量会显著影响磁性。 |
| 能否制成 PLD 靶? | 可以提供 PLD、MBE 专用靶材。 |
| EuS 是否吸湿? | 略有吸附性,建议真空密封保存。 |
| 对基底兼容性如何? | 与 Si、玻璃、GaAs、蓝宝石等兼容性良好。 |
| 是否可定制大尺寸靶材? | 可定制至 12 英寸或更大。 |
| 是否适用于量子材料实验? | 是的,EuS 是标志性量子磁性材料之一。 |
真空密封防氧化包装
多层防震保护
防静电袋与洁净包装
出口级木箱
每一片靶材附带检测报告(纯度、尺寸、密度)
确保运输与储存过程中的完好与清洁。
硫化铕靶材(EuS)凭借其稀有的磁性半导体特性、优良的薄膜可控性以及在量子材料、自旋电子学、低温器件与磁光领域中的重要作用,已成为高级科研与新型器件开发不可或缺的薄膜材料。通过高纯度靶材与先进烧结工艺,EuS 能形成高质量薄膜,为前沿科技研究提供可靠支持。
如需了解更多技术参数或获取报价,请联系:
📩 sales@keyuematerials.com
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