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硫化铌靶材(NbS)是一类典型的过渡金属硫化物(TMS)材料,具备层状结构、可调电子性能及优异化学稳定性,近年来在半导体、光电器件、能源材料及先进传感技术中受到广泛关注。在薄膜沉积中,NbS 可形成致密、均匀且缺陷率低的膜层,是科研机构与高端制造行业中常用的功能材料靶材。
其优势包括:
良好的电学活性,可用于二维半导体材料研究;
高稳定性及耐腐蚀性,适用于长期真空及高温工况;
能形成均匀致密膜层,适合光电、能源及量子器件研究;
适配多种主流溅射设备,工艺兼容性强。
硫化铌靶材常提供 99.9%(3N)至 99.99%(4N)纯度等级,采用真空烧结、热压烧结等工艺制备,结合 CIP / HIP 提升致密度,进一步提高薄膜沉积性能。
典型参数规格
直径: Ø25–Ø300 mm(支持定制)
厚度: 3–6 mm(可根据设备需求调整)
密度: ≥95% 理论密度(TD)
制造工艺: 真空热压烧结、CIP/HIP 加致密
背板结合(可选): 铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In bonding)
这些参数将实际影响:
膜层致密度、粗糙度及晶粒结构;
膜层电导率与光学吸收特性;
高功率溅射下的稳定性与靶材寿命;
大面积沉积中的膜厚均匀性。
制备 NbS 及 NbS 基二维材料薄膜
晶体管(TFT)、柔性电子器件
半导体接触层与界面调控膜
新型量子材料与电子结构研究
红外调控膜、光吸收层
光学滤光片与干涉膜
光电探测器薄膜
固态电池薄膜电极
转化型电极材料研究(Li/Na 系列)
薄膜催化界面层
气敏薄膜
微系统(MEMS)
纳米器件与科研实验
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 纯度越高,薄膜缺陷越少、性能更稳定 |
| 密度 | ≥95% TD | 提升膜层致密度、减少针孔 |
| 尺寸 | Ø25–300 mm | 适配主流磁控溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定沉积速率及散热性能 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In 焊 | 提升溅射稳定性与导热能力 |
| 制造工艺 | 真空烧结 / 热压 / HIP | 降低孔隙率,提高靶材寿命 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| NbS | 层状结构、电学/光电特性优异 | 半导体薄膜、光电器件 |
| MoS₂ | 商用成熟、光学响应强 | 润滑膜、光电探测 |
| NbSe₂ | 电导率高 | 低维超导研究、复合薄膜结构 |
| Nb 金属 | 纯金属靶材、可较高功率溅射 | 超导薄膜、电极层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| NbS 适用于哪种溅射方式? | 可用于 DC 或 RF 磁控溅射。 |
| NbS 薄膜的特性是什么? | 致密、均匀,可展示半导体或光电响应。 |
| 是否能用于二维材料研究? | 是的,NbS 属于典型 TMS 层状材料。 |
| 是否支持共溅射? | 可与金属、硫化物、氧化物共溅射制备复合膜。 |
| 空气中拍照是否影响性能? | 短时间暴露无明显影响。 |
| NbS 是否容易吸湿? | 相对稳定,一般储存于干燥环境即可。 |
| 是否可在高温溅射中使用? | 是,高温条件下仍具有良好稳定性。 |
| 是否兼容玻璃/Si/ITO 基底? | 均兼容,膜层附着力良好。 |
| 膜层性能是否可调? | 可通过溅射功率、气氛、衬底温度调控。 |
| 是否可定制超大尺寸? | 可以,根据设备要求定制 Ø≥300 mm。 |
所有 NbS 靶材均采用真空密封包装,并附唯一追溯编码。外箱使用防震材料及出口级木箱,确保靶材在运输与储存过程中保持洁净、稳定与安全。
硫化铌(NbS)溅射靶材凭借其优异的光电特性、层状结构及高稳定性,已成为新型半导体、二维材料、光电器件与能源薄膜研究的重要原材料。其在科研与工业制程中均表现出可靠性与可控性,是高端薄膜制备的理想选择。
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