硫化铌靶材(NbS)

产品简介(Introduction)

硫化铌靶材(NbS)是一类典型的过渡金属硫化物(TMS)材料,具备层状结构、可调电子性能及优异化学稳定性,近年来在半导体、光电器件、能源材料及先进传感技术中受到广泛关注。在薄膜沉积中,NbS 可形成致密、均匀且缺陷率低的膜层,是科研机构与高端制造行业中常用的功能材料靶材。

其优势包括:

  • 良好的电学活性,可用于二维半导体材料研究;

  • 高稳定性及耐腐蚀性,适用于长期真空及高温工况;

  • 能形成均匀致密膜层,适合光电、能源及量子器件研究;

  • 适配多种主流溅射设备,工艺兼容性强。


产品详情(Detailed Description)

硫化铌靶材常提供 99.9%(3N)至 99.99%(4N)纯度等级,采用真空烧结、热压烧结等工艺制备,结合 CIP / HIP 提升致密度,进一步提高薄膜沉积性能。

典型参数规格

  • 直径: Ø25–Ø300 mm(支持定制)

  • 厚度: 3–6 mm(可根据设备需求调整)

  • 密度: ≥95% 理论密度(TD)

  • 制造工艺: 真空热压烧结、CIP/HIP 加致密

  • 背板结合(可选): 铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In bonding)

这些参数将实际影响:

  • 膜层致密度、粗糙度及晶粒结构;

  • 膜层电导率与光学吸收特性;

  • 高功率溅射下的稳定性与靶材寿命;

  • 大面积沉积中的膜厚均匀性。


应用领域(Applications)

● 半导体与二维材料

  • 制备 NbS 及 NbS 基二维材料薄膜

  • 晶体管(TFT)、柔性电子器件

  • 半导体接触层与界面调控膜

  • 新型量子材料与电子结构研究

● 光电与光学薄膜

  • 红外调控膜、光吸收层

  • 光学滤光片与干涉膜

  • 光电探测器薄膜

● 能源材料

  • 固态电池薄膜电极

  • 转化型电极材料研究(Li/Na 系列)

  • 薄膜催化界面层

● 传感、微纳器件

  • 气敏薄膜

  • 微系统(MEMS)

  • 纳米器件与科研实验


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.9% – 99.99% 纯度越高,薄膜缺陷越少、性能更稳定
密度 ≥95% TD 提升膜层致密度、减少针孔
尺寸 Ø25–300 mm 适配主流磁控溅射设备
厚度 3–6 mm 决定沉积速率及散热性能
背板结合 Cu / Ti / In 焊 提升溅射稳定性与导热能力
制造工艺 真空烧结 / 热压 / HIP 降低孔隙率,提高靶材寿命

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 主要优势 典型应用
NbS 层状结构、电学/光电特性优异 半导体薄膜、光电器件
MoS₂ 商用成熟、光学响应强 润滑膜、光电探测
NbSe₂ 电导率高 低维超导研究、复合薄膜结构
Nb 金属 纯金属靶材、可较高功率溅射 超导薄膜、电极层

常见问题(FAQ)

问题 答案
NbS 适用于哪种溅射方式? 可用于 DC 或 RF 磁控溅射。
NbS 薄膜的特性是什么? 致密、均匀,可展示半导体或光电响应。
是否能用于二维材料研究? 是的,NbS 属于典型 TMS 层状材料。
是否支持共溅射? 可与金属、硫化物、氧化物共溅射制备复合膜。
空气中拍照是否影响性能? 短时间暴露无明显影响。
NbS 是否容易吸湿? 相对稳定,一般储存于干燥环境即可。
是否可在高温溅射中使用? 是,高温条件下仍具有良好稳定性。
是否兼容玻璃/Si/ITO 基底? 均兼容,膜层附着力良好。
膜层性能是否可调? 可通过溅射功率、气氛、衬底温度调控。
是否可定制超大尺寸? 可以,根据设备要求定制 Ø≥300 mm。

包装与交付(Packaging)

所有 NbS 靶材均采用真空密封包装,并附唯一追溯编码。外箱使用防震材料及出口级木箱,确保靶材在运输与储存过程中保持洁净、稳定与安全。


结论(Conclusion)

硫化铌(NbS)溅射靶材凭借其优异的光电特性、层状结构及高稳定性,已成为新型半导体、二维材料、光电器件与能源薄膜研究的重要原材料。其在科研与工业制程中均表现出可靠性与可控性,是高端薄膜制备的理想选择。

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