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硫化铋(BiS)是一类重要的铋基硫化物半导体材料,具有独特的电子结构、高原子序数带来的强光吸收能力、优异的化学稳定性以及潜在的热电与光电功能。作为一种窄带隙材料,BiS 在红外探测、热电转换、光电器件及二维材料研究中备受关注。
在磁控溅射薄膜制备中,BiS 靶材能够沉积结构均匀、成分准确、致密度高的 Bi–S 系薄膜,适用于科研实验、先进器件开发与功能涂层应用。
苏州科跃材料科技有限公司生产的 BiS 靶材采用高纯铋粉与硫粉,通过精准化学计量反应、冷等静压(CIP)、固相反应烧结、热压(HP/HIP)及精密研磨加工制备而成,确保靶材在溅射过程中具有良好的机械稳定性与一致性。
纯度等级:99.9%(3N)、99.99%(4N)
尺寸:Ø25–300 mm 圆靶;可定制矩形靶
厚度:3–10 mm
密度:≥ 95% 理论密度
背板选择:Cu / Ti 背板(可铟焊、扩散焊)
特定化学计量比可定制:BiS、Bi₂S₃ 等
高纯度确保薄膜光电性能稳定
高致密度减少溅射颗粒、提高成膜质量
成分均匀,适用于对化学组成敏感的器件
溅射稳定性好,适用于长时间持续沉积
相较多数硫化物,BiS 更易保持相稳定
BiS 薄膜具有强吸光系数和窄带隙,可用于:
可见–近红外探测器
光敏开关
光电二极管
由于铋基材料固有的低热导率和良好电导率,Bi–S 薄膜在:
微型热电发电器
热管理器件
中具有潜在应用价值。
BiS 具有层状结构,可用于:
超薄片层研究
低维量子材料
异质结构光电器件
BiS 可用作:
阻挡层
光吸收膜
功能过渡层
BiS 薄膜在气敏、光敏与电化学传感中具有潜在应用。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9–99.99% | 薄膜性能直接依赖靶材纯度 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 覆盖常见溅射系统规格 |
| 厚度 | 3–10 mm | 决定溅射寿命与热稳定性 |
| 密度 | ≥ 95% 理论密度 | 提升薄膜致密性、降低颗粒率 |
| 背板 | Cu / Ti / In bonding | 改善散热、增强机械稳定性 |
| 制备工艺 | CIP / HP / HIP | 提升靶材均匀性与结构稳定性 |
| 材料 | 主要优势 | 应用场景 |
|---|---|---|
| BiS | 强吸光能力、潜在热电性能 | 光电、热电、2D 材料 |
| Bi₂S₃ | 更稳定、吸光更强 | 红外探测、光伏、光吸收层 |
| In₂S₃ | 良好透明性 | 透明导电膜、光伏缓冲层 |
| SnS | 环保光伏材料 | 太阳能电池吸收层 |
| GeS | 高各向异性、2D 材料潜力大 | 低维电子与光电器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| BiS 靶材适合 RF 还是 DC? | 两者均可,RF 更适合精确控制成分。 |
| BiS 是否易碎? | 属于硫化物脆性材料,但高致密度工艺可降低碎裂风险。 |
| 是否能制备超薄 BiS 薄膜? | 可以,BiS 是二维层状结构,适用于薄膜与纳米片研究。 |
| 是否会氧化? | BiS 相对稳定,短时间空气暴露无影响。 |
| 是否支持定制 Bi₂S₃? | 支持,可按需求调整 S 含量与相组成。 |
| 是否适合小批量科研? | 是,一片起订。 |
真空密封包装
内部防震材料保护
外层为出口级木箱或硬纸箱
每片靶材附 ICP 杂质分析、尺寸报告与密度检测证书
确保靶材在运输与储存过程中保持洁净与完好。
硫化铋靶材(BiS)凭借其良好的光电响应、潜在热电性能与二维材料价值,在先进光电器件、红外探测、传感器与新型半导体研究中具有重要地位。苏州科跃材料提供高纯度、高致密度、多尺寸、可定制化的 BiS 溅射靶材,满足科研级与工业级薄膜沉积需求。
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📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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