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硫化铅(PbS)是一种重要的窄带隙半导体材料,具有优异的红外光吸收特性、高电子迁移率以及稳定的晶体结构。其经典的立方岩盐结构使 PbS 在红外探测器、光电传感器、光导薄膜以及量子点研究领域中占据核心地位。
作为溅射靶材,PbS 能够沉积出均匀致密、光学吸收可调、晶体性能良好的功能薄膜,适用于科研级真空镀膜、半导体工艺与红外光电技术开发。高纯 PbS 靶材具有低杂质含量、低颗粒生成和良好的膜层一致性,是制备高性能红外薄膜的重要材料。
硫化铅靶材通常采用真空烧结(Vacuum Sintering)、热压(Hot Pressing)或热等静压(HIP)制备,以提高材料的致密度与均匀性。
● 化学式: PbS
● 晶型: 立方 NaCl 型结构
● 纯度: 99.9%–99.999%(3N–5N)
● 密度: ≥95% 理论密度
● 尺寸: Ø25–Ø300 mm,可定制矩形靶
● 厚度: 3–6 mm(其他规格可定制)
● 制造工艺: Vacuum Sintering / HP / HIP
● 背板可选: Cu / Mo / Ti 背板,支持铟焊接
● 外观: 深灰至黑色均匀化合物表面
高致密 PbS 靶材可显著减少颗粒、提高沉积稳定性并保持良好的光电特性。
PbS 是性能优越的红外半导体材料,在以下领域具有广泛应用:
中红外光电探测器(MWIR/NIR)
光电二极管(Photodiodes)
光导抗(Photoconductors)
调制光学器件
红外吸收薄膜
PbS 纳米薄膜用于量子点光电器件
角度敏感与宽光谱探测薄膜
窄带隙半导体研究
光电转换与载流子输运特性研究
Pb 基复合半导体设计(如 PbS–PbSe 系列)
光吸收功能层
多层光学结构中的界面层
可调光谱响应的光电薄膜
| 参数 | 典型范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 高纯度减少薄膜缺陷 |
| 密度 | ≥95% TD | 影响溅射稳定性与膜层质量 |
| 尺寸 | Ø25–Ø300 mm | 适配各类溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 可根据需求调整 |
| 背板 | Cu / Mo / Ti / Indium Bonding | 提升散热与机械稳定性 |
| 光学性质 | 窄带隙 Eg≈0.37 eV | 适用于中红外应用 |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| PbS | 窄带隙、强红外吸收 | 红外探测、光电薄膜 |
| PbSe | 更宽光谱响应 | 红外传感器、量子点材料 |
| PbTe | 高热电性能 | 热电材料研究 |
| CdS / CdSe | 强光吸收,可调带隙 | 光伏、光电探测器 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| PbS 靶材适合 RF 还是 DC? | PbS 略带电阻,通常使用 RF,但 DC 也可使用。 |
| PbS 是否易分解? | 在高温湿度下可能氧化,需真空密封保存。 |
| PbS 薄膜光谱响应如何? | 对近红外和中红外具有强吸收。 |
| 是否可以定制高纯度 5N? | 可以,支持 4N–5N 定制。 |
| 薄膜颗粒问题如何控制? | 使用高致密 HIP 靶材可显著降低颗粒。 |
| 是否支持共溅射? | 支持,可与 PbSe、PbTe、Cd 系靶材共溅射。 |
真空密封(Moisture-proof / Oxygen-proof)
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每片附带 COA 与唯一批次号
确保材料在运输过程中不受污染或损伤。
硫化铅靶材(PbS)结合了窄带隙半导体特性、优异的红外吸收能力和稳定的溅射成膜性能,是红外光电、薄膜材料研究与新型探测技术开发的重要靶材。高纯、高致密 PbS 靶材能显著提升薄膜光电性能与均匀性。
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