硫化钽靶材（TaS / TaS₂）

产品简介（Introduction）

硫化钽（TaSₓ）是一种层状过渡金属硫族化合物，具有优异的电学性能、化学稳定性和热稳定性。常见相态包括 TaS 与 TaS₂，其中 TaS₂ 具有典型的二维层状结构（类似于 MoS₂、WS₂），在电子器件、润滑薄膜、光电器件、存储器材料以及催化等领域获得快速发展。

作为溅射靶材，硫化钽能够沉积出高致密度、层状结构明显、附着力强的薄膜，适用于二维材料研究、摩擦学功能膜、高温电极以及新型半导体器件。

产品详情（Detailed Description）

● 纯度： 99.9% – 99.999%
● 常见化学计量： TaS、TaS₂、TaSₓ（可按需求定制 S 过量或 Ta 过量）
● 尺寸范围： Ø25–300 mm
● 厚度： 2–6 mm
● 致密度： ≥95% 理论密度
● 制造工艺：
– 真空热压烧结（Hot Pressing）
– 冷等静压（CIP）
– 热等静压（HIP）提升密度
– 表面精磨、倒角、超声清洗
● 背板可选： Cu、Ti、Al、Indium Bonding
● 外观： 深灰至黑色，细致陶瓷质感
● 适配设备： RF / DC 磁控溅射、离子束溅射、多腔体 PVD 系统

TaS₂ 的层状结构有助于形成平滑薄膜界面，尤其适用于二维材料研究与柔性电子薄膜。

应用领域（Applications）

● 二维材料（2D Materials）研究
TaS₂ 属于典型的层状 TMD（Transition Metal Dichalcogenide），可用于 FET、传感器、记忆存储器等。

● 固体润滑薄膜（Lubrication Films）
与 MoS₂、WS₂ 类似，TaS₂ 具有低摩擦特性，适用于真空环境下的固体润滑膜。

● 光电器件（Optoelectronics）
用于红外、可见光光电探测器以及光电转换结构。

● 存储器材料（Memory Materials）
TaS₂ 的 CDW（电荷密度波）特性使其成为新型量子器件可能候选。

● 电极与阻挡层材料
耐腐蚀性强、化学稳定性好，适合高温环境薄膜。

● 复合结构薄膜
可与 TaN、TaC、MoS₂ 等叠层形成多功能薄膜体系。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

● 单片真空密封
● 防静电袋保护
● 防震泡棉 + 出口级木箱
● 附纯度分析、尺寸检测与批次追踪编号

结论（Conclusion）

硫化钽靶材（TaS / TaS₂）凭借其层状结构、良好导电性与化学稳定性，是二维材料研究、固体润滑薄膜、光电器件以及高端电子薄膜的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司可为您提供高纯度、高致密度、尺寸可定制的 TaS 系列靶材，支持科研与产业化生产需求。

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