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硒化镉蒸发材料通常采用高纯镉与高纯硒为原料,通过真空合成或受控熔炼工艺制备形成稳定的 Cd–Se 化合物相(近化学计量比 CdSe)。在原料选用、合成、加工及封装全过程中,严格控制氧、水分及痕量杂质含量,以确保蒸发过程中化学计量稳定、蒸发行为可控以及薄膜性能高度可重复。
纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N)
材料体系:Cd–Se(Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体)
能带特性:直接带隙,适合高效光吸收与发光
晶体结构:纤锌矿或闪锌矿结构
成膜优势:化合物单源蒸发,避免多源共蒸发的比例波动
供货形态:颗粒、块状、压片或定制形态,适配钼舟、钨舟及电子束坩埚
通过优化蒸发速率、基底温度与退火条件,可获得结晶质量高、表面平整、光电性能稳定的 CdSe 薄膜。
硒化镉蒸发材料在光电与功能半导体领域具有广泛而成熟的应用,包括:
光电探测与光敏薄膜:可见光响应层
发光与显示相关器件:光致发光与电致发光薄膜
薄膜太阳能与光伏研究:吸收层或功能层材料
量子点与纳米结构研究:CdSe 基纳米材料制备
科研与实验室应用:能带结构、缺陷态与界面行为研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 材料体系 | Cd–Se(Ⅱ–Ⅵ族) | 决定光电性能 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 降低缺陷与杂质影响 |
| 晶体结构 | 纤锌矿 / 闪锌矿 | 影响光学与电学性质 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 压片 | 适配不同蒸发源 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 硒化镉蒸发材料(CdSe) | 直接带隙、光电性能成熟 | 光电与显示 |
| 硒化锌(ZnSe) | 带隙更宽 | 光学窗口 |
| 硒化铜(CuSe) | 电导可调 | 功能薄膜 |
| 硒化铅(PbSe) | 中红外响应 | 红外探测 |
Q1:CdSe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,热蒸发在 CdSe 薄膜制备中尤为常见。
Q2:CdSe 的核心应用优势是什么?
A:稳定的直接带隙与优异的可见光光电响应性能。
Q3:是否适合光电探测应用?
A:是的,CdSe 是经典的可见光光敏材料之一。
Q4:化学计量比可以定制吗?
A:可以,可根据光电性能或器件需求微调 Cd/Se 比例。
Q5:膜层附着力如何?
A:在玻璃、Si、SiO₂、ITO 等常见基底上具有良好附着性能。
Q6:是否适合连续蒸发工艺?
A:适合,蒸发过程稳定,重复性良好。
Q7:是否可用于多层或异质结构?
A:可以,常作为功能层参与多层或异质结构设计。
Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:光电探测、发光机制、缺陷工程与界面调控研究。
所有硒化镉蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲及出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、成分稳定性与使用可靠性。
硒化镉蒸发材料(CdSe)凭借其成熟稳定的Ⅱ–Ⅵ族半导体体系、优异的光电性能以及良好的成膜可控性,在光电器件、显示技术及基础半导体研究中持续发挥重要作用。对于需要制备高质量可见光响应薄膜或开展相关光电研究的真空蒸发应用,CdSe 是一类技术成熟、应用前景明确的关键蒸发材料选择。
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