硒化锗靶材（GeSe）

产品简介（Introduction）

硒化锗（GeSe）是一种IV-VI族层状半导体材料，具有较高的载流子迁移率、优异的光吸收性能以及可调带隙，在光电子器件、红外成像、存储器薄膜、二维材料研究及热电材料领域表现突出。作为溅射靶材，GeSe 能稳定沉积出具有高均匀性、低缺陷密度与强光电响应的薄膜，是科研实验室与产业薄膜制造中极具价值的功能材料。

GeSe 相比 Ge、GeTe、GeS 等同系材料具有独特的各向异性与光电特性，在先进光电器件开发中具有不可替代的应用潜力。

产品详情（Detailed Description）

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度的 GeSe 溅射靶材，适用于 RF/DC 磁控溅射、脉冲溅射及多源共溅射系统。

● 可提供规格

• 纯度：99.9%（3N）– 99.999%（5N）

• 尺寸：Φ25–300 mm，可完全定制

• 厚度：3–6 mm（可按需调整）

• 形状：圆靶、矩形靶、特殊尺寸靶材

• 致密度：≥95% 理论密度，减少颗粒与飞溅

• 生产工艺：真空熔炼 + 热压（HP）、CIP、HIP

• 背板选择：Cu/Ti 背板，可提供专业铟焊（Indium Bonding）

● 材料优势

• 层状结构适合二维薄膜制备（类似 GeS、GeSe₂）

• 光吸收系数高，适用于光电转换与探测器

• 化学计量比稳定，溅射成分保持性优秀

• 薄膜致密性佳，电学性能可控性强

应用领域（Applications）

硒化锗靶材广泛用于光电与新材料研究：

• 光电探测器（Photodetectors）
  对可见光、近红外光具有优秀响应。

• 红外光学薄膜（IR Optics）
  适用于短波至中波红外器件。

• 存储器薄膜（ReRAM / Phase-change Memory）
  具备可调电阻特性，适用于新型存储结构。

• 太阳能薄膜 & 光伏材料
  用于构建吸收层或缓冲层。

• 二维材料研究（2D Materials）
  GeSe 是类黑磷结构材料，具明显带隙各向异性。

• 热电薄膜（Thermoelectric Films）
  IV-VI 族材料具有良好的热电性能潜力。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封

• 防潮干燥剂

• 防震泡沫保护

• 出口级纸箱或木箱

• 提供 ICP、密度、尺寸等检测报告

结论（Conclusion）

硒化锗靶材（GeSe）凭借其卓越的光电性能、层状晶体结构以及广谱应用潜力，是光电器件、红外探测器、二维材料与半导体工艺中的关键材料。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、全尺寸可定制的 GeSe 溅射靶材，为科研和产业薄膜沉积提供可靠支持。

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