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硒化铟靶材（InSe）是一类重要的 III–VI 族化合物半导体材料，具有层状结构、可调带隙、高电子迁移率以及优异的光电性能。InSe 及其二维形式（如 few-layer InSe）在光电探测器、场效应晶体管（FET）、红外与可见光光电器件、柔性电子及新型异质结结构中具有广泛应用。
在磁控溅射薄膜制备中，高纯度、高致密度的 InSe 靶材可沉积出结构均匀、稳定的 InSe 薄膜，并可通过退火进一步优化晶相，获得更优的光电特性。因此，InSe 是目前光电与半导体材料研发中关注度持续上升的关键薄膜材料之一。
● 纯度： 99.9%–99.999%
● 化学计量： InSe（最常见）、In₂Se₃ 可按需定制
● 尺寸范围： Ø25–300 mm（支持全尺寸定制）
● 厚度： 2–6 mm，或根据设备需求定制
● 理论致密度： ≥ 95%
● 加工工艺：
– 真空热压烧结（Hot Pressing）
– 冷等静压（CIP）
– 热等静压（HIP）
– 精密磨削与倒角处理
● 背板可选： Copper（Cu）、Titanium（Ti）、Indium solder bonding
● 适配设备： DC/RF 磁控溅射设备、多腔 PVD 系统、PLD 预层工艺
高致密 InSe 靶材可降低颗粒喷射与成分偏析问题，确保薄膜生长的稳定性与均匀性。
● 光电探测器（Photodetectors）
InSe 具有优异的光响应能力，覆盖可见光至近红外波段。
● 场效应晶体管（FET/TFT）
二维 InSe 材料可实现高迁移率沟道结构。
● 柔性电子（Flexible Electronics）
InSe 可在较低温度下沉积，适用于柔性基底。
● 红外/可见光光学器件
作为吸收层或调制层应用于新型光学组件。
● 异质结结构（Heterostructures）
例如：
InSe/Graphene
InSe/MoS₂
InSe/WSe₂
用于光电增强与电学调控研究。
● 非线性光学与纳米光子学
InSe 具有较强的光学非线性效应，在科研中应用广泛。
| 参数 | 范围/典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 纯度越高，薄膜缺陷越低 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 兼容多数磁控溅射系统 |
| 厚度 | 2–6 mm | 可根据靶寿命需求定制 |
| 致密度 | ≥95% | 减少颗粒与提升成膜质量 |
| 成分配比 | InSe / In₂Se₃ | 可按应用选择不同相结构 |
| 背板结构 | Cu / Ti / In bonding | 改善热传导与机械稳定性 |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| InSe | 电子迁移率高、光响应好 | 光电探测器、FET |
| In₂Se₃ | 多晶型可调、光学特性强 | 光开关、相变器件 |
| GaSe | 光学非线性强 | 红外光学器件 |
| InS | 能带可调 | 化合物半导体研究 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| InSe 靶材适用 RF 还是 DC？ | 建议使用 RF，可减少成分分离。 |
| 薄膜沉积后是否需要退火？ | 是的，可改善晶体质量和光电性能。 |
| 是否容易吸水或氧化？ | InSe 略敏感，建议真空密封储存。 |
| 会不会产生颗粒？ | 高致密靶材与适当工艺条件可显著减少。 |
| 是否能沉积 2D InSe？ | 可通过溅射+退火或低温生长实现。 |
| 是否支持小尺寸研发靶材？ | 可提供 1 英寸以下靶材样品。 |
| 是否支持背板结合？ | 支持 Cu、Ti、In bonding。 |
| 可否定制 In-rich 或 Se-rich 配比？ | 可以，根据实验需求进行调整。 |
● 单片真空封装
● 防静电袋 + 防震泡棉
● 出口级木箱运输
● 每片靶材附唯一批次编号与检测报告（纯度 / 密度 / 尺寸）
硒化铟靶材（InSe）以其优异的电子与光学特性，在光电探测器、二维材料器件、柔性电子及先进光电结构中具有核心地位。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密、可定制的 InSe 靶材，可满足科研与产业化薄膜制备的多种需求。
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