硒化铝靶材（AlSe）

产品简介（Introduction）

硒化铝（AlSe）是一种 III-V 族化合物材料，兼具半导体特性与良好的光学、电学性能，被广泛用于红外光电器件、薄膜光学镀膜、能源材料及新型光敏结构研究。作为溅射靶材，AlSe 具有高纯度、稳定性好、带隙适中等特点，可形成具有优异光吸收与电学响应特性的功能薄膜。

AlSe 薄膜在红外探测、光电传感、透明导电膜及复合半导体结构中具备关键作用，是科研院所和高端制造工艺常用的材料之一。

产品详情（Detailed Description）

硒化铝靶材通常采用真空烧结、热压烧结（HP）、冷等静压（CIP）+ 真空烧结等工艺制备，保证材料致密度高、均匀性好、挥发性控制稳定。

可提供：

• 纯度：99.9%–99.999%（3N–5N）

• 尺寸：直径 25–300 mm 或矩形靶材

• 厚度：3–6 mm，可定制

• 密度：≥ 97–99% 理论密度（TD）

• 背板结合：铜（Cu）、钛（Ti）、铟焊（In solder）、扩散结合

• 工艺特点：低氧低碳、低压烧结、晶粒尺寸可控

工艺性能优势

• 低挥发性控制
  在溅射中确保硒组分稳定，避免成膜偏化。

• 高纯度晶体结构
  可提升薄膜光学响应与载流子迁移率。

• 高致密度靶体
  薄膜表面均匀、颗粒少，适用于精密光学结构。

• 背板强化散热与结构稳定性
  对大尺寸靶材尤为关键，可提升溅射寿命。

应用领域（Applications）

1. 红外光电与探测器（IR Optoelectronics）

• 红外吸收层

• 中远红外响应探测器

• 光敏结构材料

2. 光学镀膜（Optical Coatings）

• 调控光吸收与折射率的功能薄膜

• 干涉膜、吸收膜、滤光膜设计

• IR 透明窗口材料研究

3. 半导体与能源应用（Semiconductors & Energy）

• p/n 结构异质结研究

• 薄膜太阳能器件中的光敏层

• 电介质层或导电层的复合结构

4. 科研实验与新材料开发

• AlSe 相关合金体系（如 AlSeTe、AlSeS）的薄膜探索

• 载流子动力学、带隙调控实验

• 多层膜堆叠与界面工程研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 AlSe 靶材在出厂前经过成分分析、密度检测、显微组织检查，并贴附唯一追踪编码。
包装采用 真空密封 + 防震泡沫 + 外层木箱，确保运输过程中的洁净与安全。

结论（Conclusion）

硒化铝靶材凭借优异的光学与电学特性，在红外探测、光电传感、先进光学镀膜及科研薄膜制备中具有广泛价值。其高纯度、高致密度和可控微结构使其成为科研与产业的重要材料。

如需 AlSe 靶材报价或技术参数，请联系：
📩 sales@keyuematerials.com