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硒化铜靶材（CuSe，常见为 CuSe 或 Cu₂Se）是一类重要的硫属化合物金属材料，具有可调带隙、高电导率、优异热电性能以及良好的光吸收能力，在薄膜太阳能电池、光电探测器、红外器件、热电材料以及多层功能膜结构中具有广泛应用。
在磁控溅射薄膜工艺中，高致密度、高纯度的 CuSe 靶材可沉积出均匀致密的膜层，适合用于 CIGS 光伏结构、红外吸收层、半导体异质结以及热电功能材料研究。
● 纯度范围： 99.9%–99.999%
● 化学计量： CuSe、Cu₂Se，可根据工艺需求定制
● 尺寸范围： Ø25–300 mm（支持定制尺寸）
● 厚度： 2–6 mm 或按需提供
● 致密度： ≥ 95% 理论密度
● 制造工艺：
– 真空热压烧结
– 冷等静压（CIP）
– 热等静压（HIP）
– 精密倒角、磨削加工
● 背板可选： 铜（Cu）、钛（Ti）、铟焊背板
● 适用设备： DC / RF 磁控溅射，多腔体 PVD 系统，CIGS 太阳能电池工艺线
硒化铜靶材属于半脆性材料，通过等静压和热压提高致密度后，可有效减少溅射过程中的粉化与颗粒产生，提升薄膜成型的稳定性。
● CIGS 薄膜太阳能电池（Cu(In,Ga)Se₂）
CuSe 是 CIGS 结构中常用的前驱体材料之一，用于改善吸收层组成与光电性能。
● 光电探测器（Photodetectors）
CuSe 薄膜具有较高光吸收与电导能力，适用于可见光与近红外探测。
● 热电材料（Thermoelectrics）
Cu₂Se 是知名高 ZT 热电材料，可用于薄膜热电转换研究。
● 红外吸收膜（IR Absorber Films）
用于热成像、传感器、光学组件等应用。
● 半导体异质结结构
如：
– CuSe / ZnSe
– CuSe / CdSe
– CuSe / MoS₂
用于能带调控及界面工程研究。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 提升薄膜晶相质量与稳定性 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 兼容主流设备 |
| 厚度 | 2–6 mm | 根据靶寿命与功率需求定制 |
| 致密度 | ≥95% | 减少颗粒喷射、提升膜层致密性 |
| 成分比 | CuSe / Cu₂Se | 可根据工艺调整化学计量比 |
| 背板 | Cu / Ti / In bonding | 改善散热与防止翘曲 |
| 材料 | 优势 | 应用方向 |
|---|---|---|
| CuSe / Cu₂Se | 高导电性、热电性能优秀 | CIGS 光伏、红外探测、热电薄膜 |
| CuS / Cu₂S | 强吸光、低成本 | 光催化、电学薄膜 |
| ZnSe | 宽带隙、透明性好 | 光学窗口、异质结结构 |
| CuInSe₂ | 光伏吸收层核心材料 | CIGS 太阳能电池 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| CuSe 靶材适合 DC 还是 RF？ | 一般使用 RF 以减少成分分离。 |
| 可以用于 CIGS 工艺吗？ | 可以，CuSe 是常用的预层材料之一。 |
| 是否需要退火？ | 取决于薄膜结构，退火可提升晶相质量。 |
| 会不会产生颗粒？ | 高致密靶材与低能工艺可显著减少颗粒。 |
| 是否支持 Cu-rich 或 Se-rich 配比？ | 可以定制。 |
| 能否做背板？ | 支持 Cu、Ti、Indium bonding。 |
| In-bonding 会有什么好处？ | 改善散热、减少翘曲、提升溅射稳定性。 |
| 是否可做小尺寸靶材？ | 支持 ≤1 英寸科研靶材定制。 |
● 单片真空密封包装
● 防静电袋 + 防震泡棉
● 出口级木箱运输
● 每片靶材附带批次编号与质量检测证书（纯度、密度、尺寸）
硒化铜靶材（CuSe）凭借其优异的光电与热电特性，是 CIGS 光伏、红外吸收薄膜、热电材料及光电探测等领域的重要溅射材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、多规格定制的 CuSe 靶材，满足从科研到量产的不同薄膜制备需求。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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