硒化铜铟靶材（CuInSe）

产品简介（Introduction）

硒化铜铟（CuInSe 或 CIS）是一类常见的 I–III–VI₂ 族化合物半导体材料，具有优异的光吸收能力、可调带隙结构以及高稳定性，是制备高性能薄膜光伏器件、光电探测器及功能薄膜的重要材料。高纯 CIS 溅射靶材在薄膜制备过程中具有稳定的溅射速率、高致密性与良好成膜均匀性，广泛用于科研与先进制造环境。

产品详情（Detailed Description）

CuInSe 靶材主要通过真空烧结（Vacuum Sintering）、热压（Hot Pressing）或热等静压（HIP）工艺制备，以确保化合物均匀性与优异的薄膜性能。

● 化学式： CuInSe、CuInSe₂
● 纯度： 99.9%–99.999%（3N–5N）
● 尺寸： Ø25–Ø300 mm 圆靶、矩形靶均可定制
● 厚度： 3–6 mm（可根据设备需求调整）
● 密度： ≥95% 理论密度
● 加工工艺： Vacuum Sintering / HP / HIP
● 背板选择： Cu、Ti、Al 或铟焊接（Indium Bonding）
● 外观： 深灰色且细腻的均质化合物表面

高致密 CuInSe 靶材可有效减少颗粒（Particles）、提升薄膜结晶性，并增强薄膜在器件应用中的光电稳定性。

应用领域（Applications）

CuInSe 溅射靶材主要用于光伏薄膜、电光器件以及先进材料研究领域。

● 薄膜太阳能电池（CIS Solar Cells）

• 高吸收系数

• 可通过组成调控能带结构

• 用于高光电转换效率的吸收层材料

● 光电探测器

• 中红外与可见光探测

• 高灵敏度光吸收层

• 温度敏感/光敏薄膜结构

● 功能薄膜

通过 CIS 溅射可实现：

• 半导体缓冲层

• 电极界面层

• 复合异质结结构（如 CuInSe₂/CdS）

● 先进材料研究

• 非化学反应型沉积路线

• 成分精准可控

• 可用于共溅射制备多元材料（如 CIGS 薄膜基础研究）

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 CuInSe 靶材均经过严格检测，包括密度、成分、纯度及外观检查，并采用：

• 真空密封包装

• 防震泡棉保护

• 国际运输专用木箱

确保运输过程中无污染、无损伤。

结论（Conclusion）

硒化铜铟溅射靶材（CuInSe）凭借可调能带、优异光吸收、高稳定性等优势，广泛用于光伏、电光功能薄膜及新材料研究。高纯高致密靶材可确保制程稳定性与薄膜质量，是科研与工业制程的优良选择。

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