硒化铅靶材(PbSe)

硒化铅靶材(PbSe)

产品简介(Introduction)

硒化铅(PbSe)是一种重要的 IV–VI 族窄带隙半导体材料,具有优异的红外光电性能、高灵敏度光吸收能力和出色的电学特性。作为高纯溅射靶材,PbSe 在中红外探测器、红外光学薄膜、光伏转换、热电材料研究等领域得到广泛应用。

高纯 PbSe 溅射靶材(99.9%–99.999%)可在磁控溅射过程中实现均匀稳定的薄膜生长,适用于科研级真空镀膜系统以及小规模生产线。


产品详情(Detailed Description)

PbSe 溅射靶材通常采用真空烧结(Vacuum Sintering)、热压(HP)或热等静压(HIP)制备,以确保化合物均匀性及薄膜质量。

化学式: PbSe
纯度: 99.9%–99.999%(3N–5N)
密度: ≥95% 理论密度
尺寸: Ø25–Ø300 mm 或矩形靶(均可定制)
厚度: 3–6 mm(可按设备需求提供)
工艺: 真空烧结 / 热压烧结 / HIP
背板结合: 铜 / 钛 / 铟焊(提升散热与稳定性)
外观: 深灰至黑色的致密化合物结构

高致密 PbSe 靶材有助于提升膜层的均匀性、降低颗粒、改善红外吸收与电学稳定性。


应用领域(Applications)

由于其独特的低带隙特性,PbSe 在红外光学、光电探测与功能薄膜中具有重要应用价值。

● 红外光电探测器

PbSe 是传统中红外(3–5 μm 波段)探测材料之一,用于:

  • 红外探测器(IR Detector)

  • 热像仪

  • 红外吸收薄膜

● 光学薄膜

  • 中红外透射膜

  • 光吸收 / 光滤波功能层

  • 精密光学元件镀膜材料

● 热电材料

PbSe 是研究热电转换材料的重要体系之一,可用于:

  • 热电薄膜研究

  • 温差传感应用

● 薄膜电子材料

  • 半导体缓冲层

  • 功能界面层

  • 复合异质结材料(如 PbSe/PbS)


技术参数(Technical Parameters)

参数 典型值 / 范围 说明
纯度 3N–5N 高纯度降低缺陷,提升红外与电学性能
密度 ≥95% TD 高致密性减少溅射颗粒
尺寸 Ø25–300 mm 适配多种溅射系统
厚度 3–6 mm 影响靶材寿命与溅射稳定性
背板结合 Cu / Ti / Indium 必要时提升散热,防止靶材开裂
化学稳定性 良好 建议避光、避湿保存

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 优势 典型应用
PbSe 中红外吸收性能优异 IR 探测器、光学薄膜
PbS 更短波长响应 光伏、光敏薄膜
PbTe 热电性能更优 热电材料研究
CdSe 可调吸收峰 光电、显色薄膜

常见问题(FAQ)

问题 答案
PbSe 靶材适合使用 RF 还是 DC? 可使用 RF 或 DC,RF 更适用于避免表面充电。
PbSe 薄膜的主要光学特性是什么? 在中红外波段具有强吸收和高响应灵敏度。
PbSe 是否适合共溅射? 是,与 PbS、PbTe、CdSe 等可实现复合薄膜。
溅射是否需要背板? 建议中大尺寸靶材使用背板以提升散热。
PbSe 是否容易分解? 化学稳定性良好,但需避免高湿环境。
可否用于光伏应用? 在部分红外增强结构中有应用潜力。

包装与交付(Packaging)

所有 PbSe 靶材均采用:

  • 真空密封包装

  • 防震保护材料

  • 出口级抗冲击专用木箱

并附带唯一批次编号、检测报告,确保质量可追溯。


结论(Conclusion)

硒化铅靶材(PbSe)凭借其优异的红外光学特性、可控成膜行为与可靠的电学稳定性,是红外探测、光学镀膜、功能材料研究的重要选择。高纯、高致密 PbSe 靶材可显著提升薄膜性能和制程稳定性。

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