您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
硒化钼（MoSe）是一类具有层状晶体结构的过渡金属硫属化物（TMDs），与 MoS₂、MoTe₂ 同属二维半导体材料体系。MoSe 以其独特的电子结构、可调带隙、优异的光学及电学性能，在半导体薄膜、光电探测、能源转换（二次电池、电催化）以及二维材料研究中具有重要价值。
作为溅射靶材，MoSe 可在磁控溅射系统中沉积出均匀、致密、缺陷率低的薄膜，并可实现从层状结构膜到复合功能膜的制备，是科研与产业化生产中的关键材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、多规格可定制的 MoSe 溅射靶材，适用于 PVD、RF/DC 磁控溅射系统。
纯度：99.9%（3N）– 99.999%（5N）
尺寸：Φ25–300 mm（可定制）
厚度：3–6 mm
形状：圆靶、矩形靶、异形尺寸
工艺：真空烧结、热压（HP）、CIP/HIP
致密度：≥95% 理论密度
背板结合：可提供 Cu / Ti 背板 + 专业铟焊（Indium Bonding）
具备稳定的层状结构，有利于二维薄膜制备
成膜均匀性佳，适合光电器件及电子薄膜研究
不易产生颗粒与飞溅
可形成具有高载流子迁移率与优异光吸收能力的薄膜
MoSe 溅射靶材适用于光电、半导体、能源等多个高端技术领域：
二维半导体材料（2D Materials）
MoSe 是典型的 TMDs，可用于场效应晶体管（FET）、高速电子学、纳米器件研究。
光电探测器（Photodetectors）
在可见光—近红外波段具有优良光响应。
太阳能薄膜 / 光伏器件
可用作吸收层材料或界面调控薄膜。
电催化反应（HER/OER）
MoSe 纳米薄膜表现出优异的电化学活性。
存储器件（Memory Films）
层状结构适用于阻变存储器（RRAM）薄膜。
基础科研与材料开发
用于研究能带调控、应力调控、薄层结构构建等。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 纯度越高，薄膜缺陷越低 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配各类磁控溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响沉积速率与散热性能 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜致密性与一致性 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 提升散热与结构稳定性 |
| 材料 | 特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| MoSe | 带隙适中，光吸收能力强 | 二维材料、光电薄膜 |
| MoS₂ | 层状结构更稳定 | 润滑膜、半导体研究 |
| MoTe₂ | 更窄带隙，适用于红外器件 | 红外探测、相变材料 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| MoSe 溅射靶材适用于哪些溅射方式？ | 适用 RF 与 DC 磁控溅射。 |
| MoSe 是否易氧化？ | 稍有敏感，建议真空密封保存，短时曝光无影响。 |
| 能否定制 Mo:Se 的化学计量比？ | 可以完全定制。 |
| MoSe 薄膜能否实现单层或少层沉积？ | 可通过工艺调节实现类二维结构。 |
| 是否可提供背板铟焊？ | 提供 Cu/Ti 背板与专业铟焊工艺。 |
| 适用于哪些基底？ | Si、SiO₂、玻璃、蓝宝石、ITO 等。 |
| 是否提供 ICP 成分分析？ | 可按需提供全套检测报告。 |
真空袋密封
干燥剂保护
防震泡沫固定
外箱加固，适用于国际运输
附唯一追踪编号与检测报告
硒化钼靶材（MoSe）凭借其出色的层状结构、电学光学性能及加工稳定性，已成为先进光电子与二维材料研究的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供多规格、高纯、高致密 MoSe 靶材，为您的薄膜沉积与科研开发提供可靠支持。
如需报价与技术资料，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1