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硒化钛靶材（TiSe，常用相态为 TiSe₂）是一类重要的过渡金属硫属化物（TMDs）材料，具有典型的层状结构、电荷密度波（CDW）相变行为、可调电子结构以及良好的光电性能。在二维材料、半导体器件、电学与光学研究领域中，TiSe₂ 薄膜因其独特的电子相变和材料可调性而受到广泛关注。
在磁控溅射制程中，高纯度、高致密度的 TiSe 靶材可制备均匀、致密的薄膜，并通过退火实现 TiSe₂ 晶体结构形成，适用于先进器件研发与材料基础研究。
● 纯度： 99.9% – 99.999%
● 化学计量： TiSe₂（最常见）、TiSe、TiSe₃ 可按需定制
● 尺寸范围： Ø25–300 mm（支持全尺寸定制）
● 厚度： 2–6 mm 或指定尺寸
● 理论致密度： ≥95%
● 制备工艺：
真空热压烧结
冷等静压（CIP）
热等静压（HIP）
精密 CNC 加工、倒角、抛光
● 背板可选： Cu / Ti / In bonding，以提升散热与降低靶材变形
● 外观： 深灰至黑色陶瓷质感
● 适用设备： RF / DC 磁控溅射、PLD 预涂层、真空薄膜系统
高致密度 TiSe 靶材有助于获得平稳的溅射过程、降低颗粒生成，并显著提升薄膜的晶相质量与均匀性。
● 二维材料与电子结构研究
TiSe₂ 是重要的 2D 层状材料之一，具有电荷密度波（CDW）特性。
● 半导体器件（TFT/FET）
TiSe₂ 薄膜可用于沟道材料、接触材料与异质结结构。
● 光电探测器（Photodetectors）
具有较高光吸收能力，适用于可见光/近红外探测。
● 相变与强关联电子材料研究
TiSe₂ 是研究电子关联、CDW 相变的重要模型体系。
● 柔性电子器件（Flexible Electronics）
可在低温条件下沉积适配柔性基底。
● 催化、电化学相关应用
层状结构适用于电催化、电极材料探索。
| 参数 | 范围 / 值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.999% | 高纯度减少薄膜杂质 |
| 直径 | 25–300 mm | 覆盖所有主流溅射腔体尺寸 |
| 厚度 | 2–6 mm | 可按靶寿命或功率需求定制 |
| 致密度 | ≥95% | 提升成膜均匀性与溅射稳定性 |
| 成分比 | TiSe / TiSe₂ / TiSe₃ | 可根据研究领域定制 |
| 背板材料 | Cu / Ti / In 焊接 | 提高散热并减少靶材翘曲 |
| 材料 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|
| TiSe₂ | CDW 特性、可调电子结构 | 基础材料研究 / FET |
| TiS₂ | 高电子迁移率 | 电极材料 / 电子器件 |
| TiTe₂ | 低电阻率、层状结构 | 光电材料、2D 研究 |
| MoSe₂ | 光电性能优 | 光电探测、半导体器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| TiSe 适用 RF 还是 DC？ | 建议 RF 溅射，可减少成分分离现象。 |
| 溅射后薄膜能否形成 TiSe₂ 结构？ | 需要适当退火以形成层状晶体。 |
| 是否容易氧化？ | 对空气略敏感，建议真空保存。 |
| 是否会产生颗粒？ | 使用高致密靶材与低能量工艺可减少颗粒。 |
| 能否用于柔性薄膜沉积？ | 可以，通过控制温度可适配柔性基底。 |
| 支持 OEM 特殊尺寸吗？ | 支持所有定制加工。 |
| 可否提供 In bonding？ | 可以，提高散热并保持溅射稳定性。 |
| 是否适用于多层异质结构？ | 适用于 TiSe₂/Graphene、TiSe₂/MoS₂ 等结构研究。 |
● 单片真空密封
● 防静电袋 & 防震泡棉
● 出口级木箱包装
● 全流程追踪编号与质量检测报告（纯度、密度、尺寸等）
硒化钛靶材（TiSe）凭借其独特的电子结构、层状特性及在二维材料与光电研究中的重要地位，是薄膜科学研究与先进电子器件制造中不可或缺的溅射材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制的 TiSe 系列靶材，满足科研到产业化的多样化应用需求。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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